公开/公告号CN101498047B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-05-29
原文格式PDF
申请/专利号CN200910000937.8
申请日2009-01-23
分类号
代理机构工业和信息化部电子专利中心;
代理人梁军
地址 300220 天津市河西区洞庭路26号
入库时间 2022-08-23 09:14:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-09
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/42 授权公告日:20130529 终止日期:20150123 申请日:20090123
专利权的终止
2013-05-29
授权
授权
2011-12-14
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/42 申请日:20090123
实质审查的生效
2009-08-05
公开
公开
机译: 砷化镓多晶体的合成装置及合成方法
机译: 砷化镓和/或砷化铝镓的液相上皮生长方法和装置
机译: 一种半导体激光装置,其具有在压缩压力下的铟镓砷活性层,在膨胀压力下的砷化镓阻挡层和光波导入口