采用形成于底导体上的选择性制造的碳纳米管可逆电阻转变元件的存储器单元及其制造方法

摘要

在一些方面，提供了一种制造存储器单元的方法，该方法包括：(1)在衬底上制造第一导体；(2)在第一导体上选择性制造碳纳米管(“CNT”)材料，通过(a)在第一导体上制造CNT籽晶层，其中CNT籽晶层包括硅锗(“Si/Ge”)，(b)平坦化所沉积的CNT籽晶层表面，且(c)在CNT籽晶层上选择性制造CNT材料；(3)在CNT材料上制造二极管；且(4)在二极管上制造第二导体。提供了众多的其他方面。