公开/公告号CN102412343B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-05-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201110391274.4
申请日2011-11-30
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:14:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-01-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 授权公告日:20130508 终止日期:20131130 申请日:20111130
专利权的终止
2013-05-08
授权
授权
2012-05-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20111130
实质审查的生效
2012-04-11
公开
公开
机译: 使用雪崩光电二极管的单光子探测器,光子数分辨探测器和光子探测方法
机译: InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
机译: 使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器