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等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法

摘要

一种等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法,包括:将刻蚀气体按流量比例分配至等离子体刻蚀腔体内的至少2个区域对刻蚀目标进行刻蚀;向等离子体刻蚀腔体内的第一区域内,通入与所述刻蚀气体流量相对应的刻蚀速率调节气体,使第一区域和第二区域具有不同的刻蚀气体浓度,其中所述刻蚀速率调节气体包括不参与刻蚀化学反应的中性气体。本发明提供的等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法提高等离子体刻蚀腔体内的区域刻蚀调节能力,改善等离子体处理后均一性差的现象。

著录项

  • 公开/公告号CN102231360B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中微半导体设备(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201110141770.4

  • 发明设计人 王兆祥;刘志强;

    申请日2011-05-27

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-05

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更前: 变更后: 申请日:20110527

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2017-09-05

    专利权质押合同登记的注销 IPC(主分类):H01L21/02 授权公告日:20130515 登记号:2009310000663 出质人:中微半导体设备(上海)有限公司 质权人:国家开发银行股份有限公司 解除日:20170809 申请日:20110527

    专利权质押合同登记的生效、变更及注销

  • 2017-09-05

    专利权质押合同登记的注销 IPC(主分类):H01L 21/02 授权公告日:20130515 登记号:2009310000663 出质人:中微半导体设备(上海)有限公司 质权人:国家开发银行股份有限公司 解除日:20170809 申请日:20110527

    专利权质押合同登记的生效、变更及注销

  • 2015-04-22

    专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L21/02 登记号:2009310000663 登记生效日:20150202 出质人:中微半导体设备(上海)有限公司 质权人:国家开发银行股份有限公司 发明名称:等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法 授权公告日:20130515 申请日:20110527

    专利权质押合同登记的生效、变更及注销

  • 2015-04-22

    专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 登记号:2009310000663 登记生效日:20150202 出质人:中微半导体设备(上海)有限公司 质权人:国家开发银行股份有限公司 发明名称:等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法 授权公告日:20130515 申请日:20110527

    专利权质押合同登记的生效、变更及注销

  • 2015-04-22

    专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 登记号:2009310000663 登记生效日:20150202 出质人:中微半导体设备(上海)有限公司 质权人:国家开发银行股份有限公司 发明名称:等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法 授权公告日:20130515 申请日:20110527

    专利权质押合同登记的生效、变更及注销

  • 2013-05-15

    授权

    授权

  • 2013-05-15

    授权

    授权

  • 2013-05-15

    授权

    授权

  • 2011-12-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20110527

    实质审查的生效

  • 2011-12-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20110527

    实质审查的生效

  • 2011-12-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20110527

    实质审查的生效

  • 2011-11-02

    公开

    公开

  • 2011-11-02

    公开

    公开

  • 2011-11-02

    公开

    公开

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