公开/公告号CN1122830C
专利类型发明授权
公开/公告日2003-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院高能物理研究所;
申请/专利号CN00102966.5
申请日2000-03-10
分类号G01J3/12;G21K1/00;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人朱进桂
地址 100039 北京市石景山区玉泉路19号(乙)
入库时间 2022-08-23 08:56:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-04-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01J 3/12 授权公告日:20031001 终止日期:20140310 申请日:20000310
专利权的终止
2003-10-01
授权
授权
2001-09-19
公开
公开
2001-05-02
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
机译: 温度传感器装置和使用该装置的辐射温度计,温度传感器装置的制造方法,使用光致抗蚀剂膜的多层薄膜热电堆和使用该热电堆的辐射温度计以及多层薄膜热电堆的制造方法
机译: 使用该装置的温度传感器装置和辐射温度计,温度传感器装置的制造方法,使用光致抗蚀膜的多层薄膜热敏电阻和使用该热敏电阻的辐射温度计以及多层的制造方法
机译: 使用相同的温度传感器装置和辐射温度计,用于制造温度传感器装置的方法,使用光致抗蚀剂膜和辐射温度计的多层薄膜热敏电阻,以及用于制造多层薄膜热敏电阻的方法