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碳纳米管线尖端的制备方法及场发射结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种碳纳米管线尖端的制备方法,其包括:提供一碳纳米管线;以及仅采用扫描功率大于等于1瓦且小于10瓦,及扫描速度小于200毫米/秒的激光烧断所述碳纳米管线,形成一锥形碳纳米管线尖端。本发明还提供一种场发射结构的制备方法。

著录项

  • 公开/公告号CN102082051B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201010616298.0

  • 发明设计人 柳鹏;周段亮;范守善;

    申请日2010-12-30

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-04-24

    授权

    授权

  • 2011-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 9/02 申请日:20101230

    实质审查的生效

  • 2011-06-01

    公开

    公开

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