金属插塞的制备方法

摘要

本发明提供的一种金属插塞的制备方法，包括：提供一衬底；在介质层中形成第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔暴露接触金属层，第二接触孔暴露薄膜电阻层；形成含钨的氮化层至少覆盖第二接触孔的底部；执行包括还原性离子的反应离子蚀刻，以将含钨的氮化层反应形成钨种子层；以及，在第一接触孔及第二接触孔内形成钨主体层，以形成金属插塞。本发明中，在接触金属层及薄膜电阻层的表面形成含钨的氮化层，再对含钨的氮化层执行反应离子蚀刻，以使含钨的氮化层反应形成钨种子层，从而可以利用钨种子层在第一接触孔及第二接触孔中进一步同步填充钨主体层，并利用接触孔中钨较高的体积分数，形成低电阻的金属插塞。