通过改变重置振幅的PCM多层单元存储编程

摘要

本发明公开了通过改变重置振幅的PCM多层单元存储编程，具体地，为一种将一相变化存储装置中的一目标存储单元编程为一目标电阻的方法。该方法包括确定用于该相变化存储装置的一特征最低SET电流以及一相对应SET电阻。该方法包括确定用于该相变化存储装置的一特征RESET电流斜率。该方法还包括以该特征最低SET电流以及该特征RESET电流斜率作为基础来计算用于一RESET脉冲的一第一电流振幅。该方法包括将该RESET脉冲施加至该相变化存储装置中的一目标存储单元以及测量该目标存储单元的电阻。若是所测得的电阻实质上小于该目标电阻，该方法会更进一步包括施加一个或多个额外RESET脉冲。在本发明的实施例中，该一个或多个额外的RESET脉冲会具有大于一先前所施加的RESET脉冲的电流振幅。