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公开/公告号CN115824416A
专利类型发明专利
公开/公告日2023-03-21
原文格式PDF
申请/专利权人 太原国科半导体光电研究院有限公司;
申请/专利号CN202310107912.8
发明设计人 薛建凯;张培峰;李斌;苏莹;徐文艾;
申请日2023-02-14
分类号G01J5/02;G01J5/20;G05B19/04;G06N3/0499;H04N23/20;
代理机构北京中索知识产权代理有限公司;
代理人胡大成
地址 030012 山西省太原市小店区南内环街16号-001
入库时间 2023-06-19 18:54:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-21
公开
发明专利申请公布
机译: 级联Ⅱ型超晶格红外探测器工作温度为300K
机译: 高量子效率超晶格红外探测器
机译: INAS / GASB应变层超晶格红外探测器的辐射缺陷缓解和相关方法
机译:基于具有AlAsSb / GaSb超晶格势垒的Ⅱ型InAs / AISb / GaSb超晶格的扩展短波红外nBn光电探测器
机译:基于INAS / GASB超晶格的中红外线间隙级联光电探测器在天然汽油和晶格 - 不匹配的GAAs基材上生长
机译:基于InAs / GaSb II型超晶格的两级带间级联红外光电探测器,用于高速中波红外应用
机译:基于无镓超晶格的红外探测器的研究。
机译:基于InAs / InAs1-xSbx / AlAs1-xSbx II型超晶格的偏置可选nBn双波段长/非常长波长红外光电探测器
机译:基于si / siGe超晶格和硅化物/ siGe肖特基势垒的红外探测器工作在12um以上。