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一种基于电场控制多铁异质结中磁畴壁运动的逻辑器件

摘要

本发明公开了一种基于电场控制多铁异质结中磁畴壁运动的逻辑器件,属于多铁异质结以及相应器件领域。本发明提供的多铁异质结结构,通过在衬底电极层和其中一个铁磁电极之间施加外电场,在压电衬底层与第一/第二铁磁耦合区之间的耦合作用下,实现磁纳米线中磁畴壁的产生和移动,通过在两个铁磁电极上施加正电压或接地,能够实现两个不同逻辑态的输入。基于两种异质结结构,本发明提出两种逻辑器件,仅用两个逻辑输入端,实现了多种逻辑功能,具有可重构的逻辑功能,能够实现逻辑功能的切换,提升了逻辑器件的集成度;且在大规模集成的过程中,由于没有涉及到电流驱动,具有功耗低的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN115811927A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN202211602980.3

  • 发明设计人 游龙;李欣;洪正敏;哈努曼·辛格;

    申请日2022-12-13

  • 分类号H10N50/10;

  • 代理机构华中科技大学专利中心;

  • 代理人李晓飞

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2023-06-19 18:53:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-17

    公开

    发明专利申请公布

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