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公开/公告号CN115811927A
专利类型发明专利
公开/公告日2023-03-17
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN202211602980.3
发明设计人 游龙;李欣;洪正敏;哈努曼·辛格;
申请日2022-12-13
分类号H10N50/10;
代理机构华中科技大学专利中心;
代理人李晓飞
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 18:53:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-17
公开
发明专利申请公布
机译: 包括分别包括具有磁畴壁的多个磁畴的磁道的存储器件和形成包括单独包括具有磁畴壁的多个磁畴的磁道的存储器件的方法
机译: 涡流磁畴壁的手性和极性的电场控制,用于信息存储和逻辑处理
机译: 磁畴壁的电场控制,用于信息存储和逻辑处理
机译:铁磁-铁电异质结构中电场驱动的磁畴壁运动
机译:反铁磁异质结中交错磁场驱动的畴壁运动
机译:基于应变介导的磁电耦合的多铁性双层中磁畴壁运动的精确电控制
机译:基于磁互连隧道结中畴壁运动的缩放自旋电子逻辑器件
机译:稀土掺入铁磁金属中对磁畴壁器件的影响。
机译:带磁畴和畴壁运动的应变介导多铁性异质结构中的双向耦合
机译:铁磁 - 铁电异质结构中的电场驱动磁畴壁运动
机译:铁磁 - 多铁异质结构中的电场诱导磁化反转。