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公开/公告号CN112002797A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-27
原文格式PDF
申请/专利权人 中国计量大学;
申请/专利号CN202010766278.5
发明设计人 朱明敏;崔淑婷;施胜宾;年迪青;邱阳;杨浛;郁国良;周浩淼;
申请日2020-08-03
分类号H01L41/04(20060101);
代理机构33109 杭州杭诚专利事务所有限公司;
代理人尉伟敏
地址 310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区学源街258号
入库时间 2023-06-19 09:01:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-07
授权
发明专利权授予
机译: 电场控制磁隧道结的异质结构
机译: 异质结器件的控制方法
机译: 在零中频架构发射机中使用异质结双极晶体管功率放大器的控制方法和电路
机译:基于光致发光成像的工业生产线c-Si / a-Si:H异质结太阳能电池性能预测的质量控制方法
机译:基于代码“2”的组合逻辑器件功能控制方法
机译:螺旋多铁/铁磁体复合材料中电磁体传播和自旋波注入的电场控制
机译:多铁异质结构中磁场的电场控制
机译:电场感应的自旋波的产生超出了CMOS磁逻辑器件的范围。
机译:柔性多铁异质结构中磁场的热辅助电场控制
机译:基于4-OUT-4代码的组合逻辑器件操作控制方法
机译:基于BiFeO3基异质结构的磁场电场控制。