公开/公告号CN115732302A
专利类型发明专利
公开/公告日2023-03-03
原文格式PDF
申请/专利权人 湖北仕上电子科技有限公司;
申请/专利号CN202210849394.2
申请日2022-07-19
分类号H01J37/32;
代理机构武汉尚齐知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘曼
地址 435000 湖北省黄石市大冶湖高新区双港路5号
入库时间 2023-06-19 18:39:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-03
公开
发明专利申请公布
机译: 等离子体干法刻蚀方法和等离子体干法刻蚀装置
机译: 干法刻蚀层序列,用于各向异性刻蚀含铝基板,方法是在包含卤素的气体等离子中刻蚀第四层,并在包含卤素和氮的气体中等离子体刻蚀第三层
机译: 利用高密度等离子体源的干法刻蚀方法及干法刻蚀装置