一种基于双重泵效应的正渗透与电渗流集成芯片

摘要

本发明公开了一种基于双重泵效应的正渗透与电渗(FO)流集成芯片，该装置通过利用定向毛细管压力差造成的两次泵效应将FO技术与电渗流技术集成到一张芯片中，渗透膜夹在上、下两层基片中间，膜是上、下微通道唯一的联通媒介，而纳米级通道则是上层芯片微通道的唯一联通媒介。通过调节微通道尺寸，利用亲水材料微通道毛细管压力差，能产生垂直于膜片与平行于纳米通道的双重泵效应，泵效应将FO过程和电渗流过程有机结合。本发明操作安全、简单，芯片可拆卸，无额外能耗，可以同时弥补传统FO技术和传统电渗流技术的缺陷，大大提升离子浓缩的效率。