一种带有电压峰值抑制栅的IGBT芯片

摘要

本发明涉及一种带有电压峰值抑制栅的IGBT芯片，其栅金属层并不直接与多晶硅栅极连接，而是通过包含N型多晶硅柱、P型多晶硅层、N型多晶硅层等部件在内的抑制栅与多晶硅栅极连接，从而减小了器件关断时，栅极放电电流的变化速度，进而抑制了IGBT的峰值电压。