一种提高大尺寸N型单晶电阻率命中度的方法

摘要

本发明公开了一种提高大尺寸N型单晶电阻率命中度的方法，包括在现有掺杂放置基础上调整掺杂模拟方式，设立电阻趋势曲线，预调节电阻，将电阻命中精确性锁定至当根；若本根单晶硅引放次数高于同期产线平均引放1次，掺杂在原计算水平上增加5%~8%；若本根单晶硅进入有效等径时间高于同期产线20%~40%，掺杂在原计算水平上增加5%~8%。本发明的优点是提高电阻率命中度，提升客户端工艺匹配性，适用于N型或P型晶棒。