三五族化合物半导体晶圆的加工方法

摘要

本发明提供一种半导体三五族化合物晶圆加工方法，包括以下步骤：S1、制作带有中心孔的晶圆环；S2、将晶圆放置在晶圆环的中心孔处，并将晶圆与晶圆环进行粘贴固定；S3、将粘贴后的晶圆和晶圆环放置在设备承片位置，确认成片位置压力显示为35‑50区间后，选择相应程序晶圆完成自动加工，受晶圆材质影响需降低使用压力，压力范围：RR:1.5‑3.5、Z1:0.5‑2.5、Z2:0.5‑2.5；S4、晶圆加工完成后，通过自动解胶机将晶圆与晶圆环分开，得到独立晶圆。本发明提出的加工方法更加简单、有效。通过制作晶圆环的方式，实现小尺寸化合物半导体晶圆的有效化学机械抛光自动加工，提升晶圆表面状态及后续键合效果，且更加适合量产化加工。