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一种自由控制衬底温度的衬底托盘

摘要

本发明公开了一种MPCVD系统中自由控制衬底温度衬底托盘。在MPCVD系统中进行金刚石的生长时,由于腔体内等离子体的不均匀造成了温度场的不均匀,而这也是无法获取大面积金刚石的最主要原因。本发明通过将衬底托材料置换为空气层或其他不同于衬底托的导热材料,将均匀导热的衬底托改为非均匀导热,通过导热率来逆向补偿腔体内的温度分布,以此来适应腔体内温度的不均匀性,达到衬底温度的均匀,并以此来应对无法获取大尺寸金刚石的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN115433921A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东众元半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202110615226.2

  • 发明设计人 刘胜;甘志银;杨柏;

    申请日2021-06-03

  • 分类号C23C16/27;C23C16/458;C23C16/511;C23C16/52;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 528251 广东省佛山市南海区平洲南港大街5号1楼

  • 入库时间 2023-06-19 17:50:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-06

    公开

    发明专利申请公布

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