用于形成具有高纵横比接触开口的功率器件的结构和方法

摘要

本发明提供了一种场效应晶体管(FET)，包括在第二导电类型的半导体区上方的第一导电类型的本体区。第二导电类型的源极区在本体区上方延伸。栅电极邻近于本体区延伸但是通过栅极电介质层与本体区绝缘。接触开口延伸到相邻的栅电极之间的本体区中。种子层沿着每个接触开口的底部延伸。种子层用作成核位点用于促进导电填充材料的生长。导电填充材料填充每个接触开口的下部部分。互连层填充每个接触开口的上部部分，并且与导电填充材料直接接触。互连层还沿着接触开口的上部侧壁与相应的源极区直接接触。