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一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺

摘要

本发明涉及碳化硅晶圆技术领域,具体的是一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺,本发明包括以下步骤:S1、在碳化硅晶圆的背面键合玻璃载板,再在碳化硅晶圆的正面制作晶体管和ILD层,然后在碳化硅晶圆的正面键合玻璃载板,再翻转晶圆和玻璃载板,再对碳化硅晶圆背面的玻璃载板进行解键合,并去除粘着剂;通过在碳化硅晶圆进行RTA快速合金工艺前,在完成镍金属层和钛金属层的溅镀后,直接在钛金属层表面沉积银金属层,使得银金属层可以随着碳化硅晶圆一同进行RTA快速合金工艺,无需在完成RTA快速合金工后艺多次翻转碳化硅晶圆配合玻璃载盘进行银金属层沉积,简化RTA快速合金的步骤,有效的降低加工成本,提升加工速度。

著录项

  • 公开/公告号CN115394667A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202210905176.6

  • 发明设计人 严立巍;文锺;刘文杰;林春慧;

    申请日2022-07-29

  • 分类号H01L21/60;H01L23/485;H01L21/04;C23C14/18;C23C14/34;

  • 代理机构北京和联顺知识产权代理有限公司;

  • 代理人孙伟新

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科苑路16号东方科技大厦1905

  • 入库时间 2023-06-19 17:43:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-25

    公开

    发明专利申请公布

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