HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件

摘要

本公开提供了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件，属于半导体器件技术领域。所述HEMT外延片包括：Si衬底、依次层叠在所述Si衬底上的复合过渡层、AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层，所述复合过渡层包括依次层叠在所述Si衬底上的低温BP成核层、高温BP成核层和预铺Al层，所述低温BP成核层的生长温度低于所述高温BP成核层的生长温度。