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公开/公告号CN115236479A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-25
原文格式PDF
申请/专利权人 国网智能电网研究院有限公司;
申请/专利号CN202210924234.X
发明设计人 杜泽晨;杨霏;刘瑞;张文婷;安运来;牛喜平;桑玲;魏晓光;
申请日2022-08-01
分类号G01R31/26;G01N23/2251;
代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司;
代理人李静玉
地址 102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
入库时间 2023-06-19 17:19:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-25
公开
发明专利申请公布
机译: 减少sic半导体器件中的双极性退化的方法和半导体器件
机译: 减少SIC半导体器件中双极性退化的方法和半导体器件
机译: 在SiC半导体组件的情况下减少双极退化的方法和半导体器件
机译:基于Alga-SiC平台的紫外光电器件:朝着单片光子集成系统
机译:基于4H-SiC的下一代功率器件的工业方法
机译:基于商业仿真器的取向不正确的(0001)基板上形成的4H-SiC功率器件的数值分析方法
机译:基于Simulink的串联器件SiC MOSFET建模平台的开发
机译:基于地图的随机方法,用于联合估计未知图像的退化参数和超分辨率。
机译:4H-SiC外延层器件在高分辨率辐射检测中的进展
机译:基于混合集成的海上石油平台工艺参数估计和退化评估方法
机译:使用碳化硅(siC)交付订单交付订单交付订单开发高温,高功率,高效率,高压转换器:基于材料和器件属性的siC VJFET设计和性能的关键分析