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一种面向原子及近原子尺度功能结构器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种面向原子及近原子尺度功能结构器件的制造方法。本发明的一种制造方法,顺序包括电子束光刻、原子层沉积、电铸、模具脱模、金属薄膜腐蚀、纳米压印、聚合物功能器件的脱模步骤;本发明的另一种制造方法,顺序包括光刻、原子层沉积、选择性刻蚀、除胶、硅刻蚀、侧墙刻蚀、原子层沉积、电铸、模具脱模、腐蚀、纳米压印、聚合物功能器件的脱模步骤。本发明结合电子束光刻对纳米级结构的极限加工能力、原子层沉积技术的原子级厚度可控沉积与电铸技术原子顺序电沉积的优势,通过多种微纳制造技术的叠加,突破现存半导体加工技术的极限,在纳米结构的基础上实现更小尺度结构的精准制造,也就是面向原子及近原子尺度功能结构器件的制造。

著录项

  • 公开/公告号CN115180589A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-10-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN202210864922.1

  • 发明设计人 张宏刚;房丰洲;刘海滨;赵永娟;

    申请日2022-07-21

  • 分类号B81C1/00;G03F7/00;G03F7/20;

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人王兆波

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-06-19 17:11:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-14

    公开

    发明专利申请公布

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