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一种Mg修饰的低反应温度、高储热密度钴基热化学储热材料及其制备方法

摘要

本发明属于热化学储能领域技术领域,公开了一种Mg修饰的低反应温度、高储热密度钴基热化学储热材料及其制备方法,Mg修饰的低反应温度、高储热密度钴基热化学储热材料的分子式为:Co3‑xMgxO4;Mg修饰的低反应温度、高储热密度钴基热化学储热材料制备方法包括:利用Mg取代活性热化学储热释热组分Co3O4晶格中的Co原子,得到具备亚稳态的结构的Mg修饰的低反应温度、高储热密度钴基热化学储热材料。本发明的在较长的储放热循环次数下,本发明的Mg修饰的低反应温度、高储热密度钴基热化学储热材料仍具有较高的循环稳定性和储能能力。

著录项

  • 公开/公告号CN115058230A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN202210825389.8

  • 申请日2022-07-14

  • 分类号C09K5/06;C01G51/04;

  • 代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司;

  • 代理人张晓博

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2023-06-19 16:51:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-16

    公开

    发明专利申请公布

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