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公开/公告号CN115054101A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-09-16
原文格式PDF
申请/专利权人 李健男;
申请/专利号CN202210891766.8
发明设计人 李健男;
申请日2022-07-27
分类号A47G19/14;B44C1/28;C04B33/24;
代理机构成都鱼爪智云知识产权代理有限公司;
代理人刘爱平
地址 102100 北京市延庆区大榆树镇大榆树村北258号
入库时间 2023-06-19 16:51:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-16
公开
发明专利申请公布
机译: 一种简化的双层镶嵌工艺,用于制备多层金属化层和连接结构
机译: 一种使用镶嵌掩模形成的硬掩模通过镶嵌工艺形成迹线的方法
机译: 一种利用cmp工艺和镶嵌结构在镶嵌结构中产生确定的凹陷的方法
机译:致孔剂基低k膜工艺条件的变化:一种改进性能的方法,而无需更改亚100 nm以下铜镶嵌集成工艺中的现有工艺步骤
机译:使用镶嵌工艺制备自上而下的金纳米结构
机译:新型无机-有机带电两性离子杂化物的基础研究3.改性金属醇盐和两性离子工艺制备的新型混合带电镶嵌膜
机译:退火对镶嵌栅极工艺制备的HfSiON薄膜电子特性的影响
机译:模态空间的镶嵌和镶嵌操作。
机译:高效放大制备52-Dibromo-245-三羟基二苯甲酮作为急性肾盂肾炎候选药物的工艺开发和工艺相关杂质的合成
机译:一种用于多响应优化的混合数值方法 udCO2 OCM中工艺参数和催化剂组成的分析CaO-MnO / CeO2催化剂制备工艺
机译:用于制造具有微/纳米间隙的半导体结构的镶嵌工艺。