检测半导体结构中金属孔洞缺陷的方法

摘要

本发明涉及一种检测半导体结构中金属孔洞缺陷的方法。一种检测半导体结构中金属孔洞缺陷的方法，包括：在半导体结构中形成金属填充物；对所述金属填充物进行第一次亮场检测；对所述金属填充物进行快速热退火处理；对快速热退火处理后的所述金属填充物进行第二次亮场检测；分析所述第一次亮场检测和所述第二次亮场检测的数据，获得所述金属填充物的孔洞缺陷分布。本发明通过增加热退火处理使深处填充的金属中的孔洞转变为易检测的状态，从而提供更准确的检测结果。