首页> 中国专利> 用于制造硅晶体的石英玻璃坩埚以及用于制造石英玻璃坩埚的方法

用于制造硅晶体的石英玻璃坩埚以及用于制造石英玻璃坩埚的方法

摘要

用于根据切克劳斯基法提拉硅单晶的熔凝石英坩埚,其具有内侧,在该内侧上具有形成表面的熔凝石英的内层,所述内层提供有结晶促进剂,在指定用途在晶体提拉中加热所述熔凝石英坩埚时,所述结晶促进剂使熔凝石英结晶,以形成β‑方晶石,其特征在于,在距所述表面的距离d处,合成获得的SiO2的浓度C大于距所述表面的距离d2处合成获得的SiO2的浓度,其中d2大于d。

著录项

  • 公开/公告号CN115038823A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅电子股份公司;

    申请/专利号CN202180012478.4

  • 发明设计人 T·莱曼;D·策姆克;

    申请日2021-01-27

  • 分类号C30B15/10;C03C17/00;C30B35/00;C03B19/06;

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人过晓东

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-06-19 16:44:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-09

    公开

    国际专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号