一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺

摘要

本发明公开了一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，属于光芯片加工技术领域，包括：一、准备LNOI片；二、旋涂HSQ/ZEP：在LNOI片上旋涂HSQ/ZEP双层胶，ZEP为底层胶；对ZEP的厚度进行调控；三、光刻显影HSQ：利用电子束曝光波导图形，显影去除未曝光的HSQ；四、干法刻蚀ZEP：对刻蚀参数进行调控；五、分步刻蚀LN：首先利用CHF3和Ar等离子体进行短时间的常规刻蚀，然后利用CHF3等离子体进行更短时间的刻蚀，即利用化学刻蚀的各向同性减小LN波导的侧壁起伏，然后重复步骤五，直至完成刻蚀；六、去除HSQ/ZEP：采用丁酮溶液去除HSQ/ZEP掩膜。