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公开/公告号CN115004108A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-09-02
原文格式PDF
申请/专利权人 三井化学株式会社;
申请/专利号CN202180009908.7
发明设计人 大久保敦;高村一夫;石川比佐子;小野阳介;藤井泰久;吉川弥;松本信子;出口朋枝;
申请日2021-02-16
分类号G03F1/62;G03F7/20;
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司;
代理人陈彦;郭玫
地址 日本东京都
入库时间 2023-06-19 16:38:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-02
公开
国际专利申请公布
机译: 防护膜,曝光原版,曝光装置以及半导体装置的制造方法
机译: 薄膜框架,防护膜,框架构件,曝光原版,曝光装置以及半导体装置的制造方法
机译: 防护薄膜组件的制造方法,曝光盘,曝光装置及半导体装置
机译:三井化学EUV防护膜业务用于下一代半导体曝光工艺与ASML的许可协议
机译:显示装置用外部遮光膜的专利,其制造方法及装置用滤波器,制造方法及具有该装置的显示装置用滤波器
机译:文字膜通过AD方法在半导体制造装置中的应用
机译:用于多层电介质装置的气溶胶沉积方法直接在铜电极上制造钛酸钡膜的制造
机译:制造用于质子交换膜燃料电池的低铂负载的膜电极组件的新颖方法。
机译:假单胞菌防护膜在消毒剂测试中的应用:电子显微镜防护膜去除以及对测试结果的影响。
机译:聚合物溶液,纤维垫和纳米纤维膜 - 电极 - 组件及其制造方法
机译:联邦测试方法标准号791C方法5331.1的修改'钢膜对固体膜润滑剂的亚硫酸盐喷雾的腐蚀防护'。