辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法及系统

摘要

本发明公开一种辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法及系统，属于半导体辐照技术领域，方法包括获取半导体及其辐照缺陷的性质参数；基于缺陷性质参数，确定退火模拟中缺陷类型和缺陷间反应路径；以半导体性质参数和辐照导致的PKA能谱作为输入条件，使用MC方法模拟获得初始点缺陷的空间分布；以初始点缺陷的空间分布作为初始条件，以缺陷性质参数和缺陷间的反应路径作为输入，使用OKMC方法模拟获取退火后存活缺陷的类型及其浓度；以存活缺陷的性质参数及其浓度作为输入，求解基于SRH理论的缺陷速率方程，并代入DLTS输出信号的理论公式，获得定量模拟的DLTS。本发明可定量地模拟辐照半导体的DLTS，并给出不同DLTS峰对应的微观缺陷类型及其具体占比。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体辐照技术领域，具体涉及一种辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法及系统。

背景技术

当半导体器件服役在空间、核能等辐照环境时，会遭受高能粒子辐照，常常会导致半导体中的晶格原子离位，在半导体中产生初始点缺陷(自间隙和空位)，这些点缺陷会与半导体中存在的杂质发生复杂的相互作用，并经过发生长时间地演化，演生出不同类型的复杂缺陷。这些不同类型的缺陷的基本性质一般有较大差异，对半导体器件性能的影响也各不相同。有的不会对半导体器件性能造成影响，有的会散射载流子，导致半导体中载流子迁移率等电学性质发生变化，有的则会在半导体带隙中引入缺陷能级，并通过这些缺陷能级捕获和发射载流子(电子和空穴)，导致半导体器件性能退化甚至永久失效。因此，鉴定辐照下半导体中缺陷的类型，明确对半导体器件性能产生严重影响的缺陷类型，对于理解半导体器件性能退化机制和器件抗辐照加固设计具有非常重要的意义。

深能级瞬态谱(Deep level transient spectroscopy，DLTS)，作为目前研究缺陷性质最常用和最有力的实验手段之一，可以对半导体中深能级缺陷的鉴定提供了极大帮助。它通过测量在不同温度下pn结或肖特基结在反偏压下电容的变化，来探测缺陷的浓度、载流子捕获截面和缺陷能级位置等重要的深能级缺陷性质。然而，它却无法将测量得到的不同DLTS峰和具体的微观缺陷对应起来，无法明确缺陷具体类型，也无法确定缺陷的组成和结构。而以密度泛函理论(Density functional theory，DFT)为代表原子尺度的理论模拟方法，则可以从原子层面出发，给出缺陷的具体类型、组成和结构。因此，亟需开展DLTS的理论模拟，来进一步明确辐照半导体中具体微观缺陷类型。

然而，相关文献所涉及的模拟方法仅仅是依靠DFT计算得到的缺陷能级和载流子捕获截面来定性模拟DLTS，只能给出缺陷在DLTS上的峰位，不能定量给出每种缺陷对应的峰强及其在DLTS峰中所占比例，从而使得在缺陷鉴定时，只能参考缺陷的能级，而无法参考缺陷的浓度，导致缺陷鉴定极易出现偏差。

相关技术中，公开号为CN106528493B的发明专利公开了一种有效分离DLTS测试信号的数值模拟方法，该方法通过对化合物半导体肖特基势垒的DLTS信号进行数值模拟，可以有效分离数个相互耦合的深能级缺陷。但该方法是通过理论计算来拟合DLTS实验以达到分离深能级瞬态谱中耦合的深能级缺陷的目的，而不是理论模拟DLTS。此外，虽然该方法也可以分离出DLTS信号对应的数个深能级缺陷，但该方法只能给出分离的深能级缺陷的能级差异，而无法给出它们对应的微观缺陷的具体类型。

因此，如何对辐照半导体DLTS进行定量模拟，明确鉴定出DLTS信号对应的微观缺陷类型，是目前急需解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于如何定量地模拟出辐照半导体DLTS，并给出辐照半导体DLTS信号所对应的微观缺陷类型。

本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：

一方面，本发明提出了一种辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法，所述方法包括：

获取半导体的性质参数及其辐照缺陷性质参数；

基于所述辐照缺陷性质参数，确定退火模拟中的缺陷类型和缺陷间的反应路径；

以所述半导体的性质参数和辐照导致的初级撞出原子(primary knock-on atom，PKA)能谱作为输入条件，使用蒙特卡洛(Monte Carlo，MC)方法模拟获得初始点缺陷的空间分布；

以所述初始点缺陷的空间分布作为初始条件，以所述辐照缺陷性质参数和所述缺陷间的反应路径作为输入，使用实体动力学蒙特卡洛(Object kinetic Monte Carlo，OKMC)方法模拟获取退火后存活缺陷的类型及其浓度信息；

以所述存活缺陷的性质参数及其浓度信息作为输入，求解基于Shockey-Read-Hall(SRH)理论的缺陷速率方程，得到不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓度；

将不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓代入DLTS输出信号的理论公式，获得定量模拟的DLTS。

本发明首先获取辐照缺陷的基本性质，然后运用MC和OKMC方法模拟缺陷退火，得到退火后存活缺陷的浓度，接着计算基于求解基于SRH理论的缺陷速率方程，并将求解结果代入DLTS输出信号的理论公式，定量模拟DLTS；本方法可以给出不同DLTS信号对应的微观缺陷类型、不同缺陷DLTS信号的相对强度以及不同缺陷在耦合的DLTS信号中所占比例。

进一步地，所述辐照缺陷性质参数包括缺陷形成能、迁移能、能级位置、载流子捕获截面和结合能，所述基于所述辐照缺陷性质参数，确定退火模拟中的缺陷类型和缺陷间的反应路径，包括：

基于所述辐照缺陷性质参数，确定退火模拟中的缺陷类型包括所有本征点缺陷和结合能大于1.0eV的缺陷团簇；

基于反应前缺陷形成能和反应后缺陷形成能之差大于1.0eV准则，确定缺陷间的反应路径。

进一步地，所述基于SRH理论的缺陷速率方程的数学形式为：

其中，t为时间；

进一步地，以所述存活缺陷的性质参数及其浓度信息作为输入，求解基于SRH理论的缺陷速率方程，得到不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓度，包括：

(a)根据所述存活缺陷的类型及其浓度信息，构建待模拟深能级缺陷能级列表，并确定模拟DLTS的温度区间，其中，所述待模拟深能级缺陷能级列表中的缺陷为退火后存活的缺陷且带隙中贡献了缺陷能级；

(b)计算所述温度区间内不同温度下的载流子热运动速度

(c)从所述待模拟深能级缺陷能级列表中读入一个缺陷能级，并输入该缺陷能级不同温度下的载流子捕获截面和载流子发射的激活能；

(d)以所述浓度信息作为被载流子占据的深能级缺陷的初始浓度，并设定未被载流子占据的深能级缺陷初始浓度，使用开源的微分方程求解器lsoda，从低温到高温依次求解所述温度区间内不同温度下读入的缺陷能级所对应的所述基于SRH理论的缺陷速率方程，获得不同温度下不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓度；

循环(c)和(d)，直至所述待模拟深能级缺陷能级列表里所有缺陷能级对应的基于SRH理论的缺陷速率方程全部求解完毕。

进一步地，所述温度区间内不同温度下的载流子热运动速度

所述半导体导带底或价带顶有效态密度N

其中，

进一步地，所述DLTS输出信号的理论公式为：

其中，ΔC

此外，本发明还提出了一种辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟系统，所述系统包括：

获取模块，用于获取半导体的性质参数及其辐照缺陷性质参数；

确定模块，用于基于所述辐照缺陷性质参数，确定退火模拟中的缺陷类型和缺陷间的反应路径；

第一模拟模块，用于以所述半导体的性质参数和辐照导致的PKA能谱作为输入条件，使用MC方法模拟获得初始点缺陷的空间分布；

第二模拟模块，用于以所述初始点缺陷的空间分布作为初始条件，以所述辐照缺陷性质参数和所述缺陷间的反应路径作为输入，使用OKMC方法模拟获取退火后存活缺陷的类型及其浓度信息；

求解模块，用于以所述存活缺陷的性质参数及其浓度信息作为输入，求解基于SRH理论的缺陷速率方程，得到不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓度；

定量模拟模块，用于将不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓代入DLTS输出信号的理论公式，获得定量模拟的DLTS。

进一步地，所述确定模块，包括：

类型确定单元，用于基于所述辐照缺陷性质参数，确定退火模拟中的缺陷类型，包括所有本征点缺陷和结合能大于1.0eV的缺陷团簇；

反应路径确定单元，用于基于反应前缺陷形成能和反应后缺陷形成能之差大于1.0eV准则，确定缺陷间的反应路径。

进一步地，所述基于SRH理论的缺陷速率方程的数学形式为：

其中，t为时间；

进一步地，所述DLTS输出信号的理论公式为：

其中，ΔC

本发明的优点在于：

(1)本发明首先获取辐照缺陷的基本性质，然后运用MC和OKMC方法模拟缺陷退火，得到退火后存活缺陷的浓度，接着计算基于求解基于SRH理论的缺陷速率方程，并将求解结果代入DLTS输出信号的理论公式，定量模拟DLTS；本方法可以给出不同DLTS信号对应的微观缺陷类型、不同缺陷DLTS信号的相对强度以及不同缺陷在耦合的DLTS信号中所占比例。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

图1是本发明第一实施例中的辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法的流程示意图；

图2是本发明实施例中子辐照硅中的缺陷类型和缺陷间的反应路径图；

图3是本发明实施例中子辐照硅的PKA积分能谱图；

图4是本发明实施例中子辐照硅产生的初始点缺陷的空间分布图；

图5是本发明实施例在350K下退火过程中中子辐照硅中不同缺陷类型的浓度随时间的变化图；

图6是本发明实施例模拟的电压反偏时被电子占据的VO的浓度随时间的变化图；

图7是本发明实施例定量模拟的中子辐照硅在350K下退火后的深能级瞬态谱和实验的对比图；

图8是本发明第二实施例中辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟系统的结构示意图。

图中符号说明：

I表示硅自间隙缺陷，I

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明第一实施例提出了一种辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法，所述方法包括以下步骤：

S10、获取半导体的性质参数及其辐照缺陷性质参数。

需要说明的是，本实施例中所述半导体包括但不限于如锗，氮化镓、碳化硅、硅等。

应当理解的是，本领域技术人员可根据半导体类型的不同，采用本方法时获取不同的半导体性质参数及其辐照缺陷性质参数。

本实施例以材料Si为例，获取Si的性质参数和中子辐照Si中缺陷类型及其辐照缺陷性质参数的方法包括DFT理论计算、实验测量或查询半导体数据库等。材料Si性质参数主要包括Si的带隙、导带/价带有效态密度、介电常数和离位阈能等。辐照缺陷性质参数主要包括缺陷形成能、迁移能、能级位置、捕获截面和结合能等。

需要说明的是，Si性质参数中的带隙、导带/价带有效态密度和缺陷参数中的缺陷能级和载流子捕获截面需要获取随温度变化的参数值。

S20、基于所述辐照缺陷性质参数，确定退火模拟中的缺陷类型和缺陷间的反应路径。

进一步地，退火模拟中的缺陷类型应包括所有的本征点缺陷和与结合能大于1.0eV的缺陷团簇。确定缺陷间反应路径基本的准则是反应前缺陷形成能和反应后缺陷形成能之差大于1.0eV。

本实施例中，通过缺陷性质参数确定的缺陷类型以及缺陷间的反应路径如图2所示。

S30、以所述半导体的性质参数和辐照导致的PKA能谱作为输入条件，使用MC方法模拟获得初始点缺陷的空间分布。

进一步地，本实施例以Si性质参数和中子辐照Si导致的初级离位原子PKA能谱为输入条件，运用基于二体碰撞近似的MC方法，计算得到辐照产生的不同级联内点缺陷的初始空间分布。

本实施例中，中子辐照Si的PKA能谱如图3所示。MC方法模拟得到的一个典型级联内初始点缺陷的空间分布如图4所示。

S40、以所述初始点缺陷的空间分布作为初始条件，以所述辐照缺陷性质参数和所述缺陷间的反应路径作为输入，使用OKMC方法模拟获取退火后存活缺陷的类型及其浓度信息。

进一步地，本实施例以不同级联内初始点缺陷的空间分布作为初始条件，以Si的性质参数、Si中辐照缺陷的性质参数和缺陷间的反应路径作为输入，运用OKMC方法模拟获取退火后存活缺陷的类型和浓度。

本实施例中，350K退火过程中不同缺陷类型的浓度随时间的变化如图5所示，从图中可以看出存活的缺陷类型包括空位-氧对缺陷(VO)，双空位缺陷(V

S50、以所述存活缺陷的性质参数及其浓度信息作为输入，求解基于SRH理论的缺陷速率方程，得到不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓度。

S60、将不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓代入DLTS输出信号的理论公式，获得定量模拟的DLTS。

本实施例首先获取辐照缺陷的基本性质参数，然后运用MC和OKMC方法模拟缺陷退火，得到退火后存活缺陷的浓度，接着计算基于求解基于SRH理论的缺陷速率方程，并将求解结果代入DLTS输出信号的理论公式，定量模拟DLTS；本方法可以给出不同DLTS信号对应的微观缺陷类型、不同缺陷DLTS信号的相对强度以及不同缺陷在耦合的DLTS信号中所占比例。

在一实施例中，所述基于SRH理论的缺陷速率方程的一般形式为：

其中，t为时间；

在进行DLTS测量时，反偏电压会使得pn结或肖特基结内载流子排出，结内载流子捕获可以忽略，因此在模拟DLTS时，上述方程的载流子捕获项(第一项)可以忽略，只考虑载流子发射(第二项)，如此，缺陷速率方程可以写成如下形式：

本实施例中使用该速率方程的作用在于：首先，该速率方程基于SRH理论，而SRH理论在提出后几十年里，得到了广泛验证，这使得缺陷速率方程的准确性得到保证；其次，DLTS的输出信号的理论公式中最难确定的就是被载流子占据的深能级缺陷浓度，而该缺陷速率方程正好可以给出它的值，使理论模拟DLTS成为可能；另外，该方程的本质是微分方程，且形式相对简单，而这种简单微分方程的求解方法已经非常成熟，且具有较多求解器，求解容易、高效。

在一实施例中，所述步骤S50，包括以下步骤：

(a)根据所述存活缺陷的类型及其浓度信息，构建待模拟深能级缺陷能级列表，并确定模拟DLTS的温度区间，其中，所述待模拟深能级缺陷能级列表中的缺陷为退火后存活的缺陷且在带隙中贡献了缺陷能级。

进一步地，DLTS定量模拟的深能级缺陷列表内的缺陷必须既为退火后存活的缺陷又在带隙中贡献了缺陷能级。确定模拟DLTS的温度区间可根据实验DLTS的温度区间范围确定，温度间隔的划分理论上划分得越密越好，以减少模拟误差，但间隔划分越密，计算效率越低，建议模拟时温度间隔取1至10K。

(b)计算所述温度区间内不同温度下的载流子热运动速度

(c)从所述待模拟深能级缺陷能级列表中读入一个缺陷能级，并输入该缺陷能级不同温度下的载流子捕获截面和载流子发射的激活能。

(d)以所述浓度信息作为被载流子占据的深能级缺陷的初始浓度，并设定未被载流子占据的深能级缺陷初始浓度，使用开源的微分方程求解器lsoda，从低温到高温依次求解所述温度区间内不同温度下读入的缺陷能级所对应的所述基于SRH理论的缺陷速率方程，获得不同温度下不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓度。

循环(c)和(d)，直至所述待模拟深能级缺陷能级列表里所有缺陷能级对应的基于SRH理论的缺陷速率方程全部求解完毕。

需要说明的是，本实施例求解基于SRH理论的缺陷速率方程是为了获取不同温度下不同时刻被载流子占据的深能级缺陷的浓度。

以材料Si为例，基于SRH理论的缺陷速率方程的求解过程如下：

(a)根据图5所示的存活缺陷类型及其能级信息，中子辐照Si的深能级缺陷能级列表确定为{CI(-/0)，VO(-/0)，V

(b)计算所述温度区间内不同温度下的载流子热运动速度

(c)从待模拟深能级缺陷能级列表中读入一个缺陷能级，并输入该缺陷能级不同温度下的载流子捕获截面和载流子发射的激活能。

需要说明的是，对本实施例的材料Si而言，其带隙仅为1.12eV，相对较小，因此DLTS的温度区间范围也比较窄(一般为0到300K)，在这个温度区间内，缺陷捕获截面

(d)以退火后深能级缺陷的浓度作为被载流子占据的深能级缺陷的初始浓度，0m

(e)循环(c)和(d)，直到待模拟的深能级缺陷能级列表里所有的速率方程都求解完毕。图6给出了计算所得的对一个典型的深能级缺陷VO，能级被电子占据的缺陷(即VO

在一实施例中，所述温度区间内不同温度下的载流子热运动速度

所述半导体导带底或价带顶有效态密度N

其中，

在一实施例中，所述DLTS输出信号的理论公式为：

其中，ΔC

本实施例中，根据实验速率窗232s

需要说明的是，DLTS测量的是半导体PN结或肖特基结等，其输出信号与结电容直接相关。具体地，半导体缺陷会在半导体带隙内引入缺陷能级，电子和空穴(自由载流子)可以占据这些能级，也可以从这些能级中发射出去。当进行DLTS测量时，需要在PN结或肖特基结上施加一个反向偏压，再叠加一个周期性变化的正向脉冲电压。电压反偏时，缺陷发生电离，电子或空穴会从缺陷能级上发射出去；正偏时，电子或空穴又会重新占据缺陷能级，电子或空穴的捕获和发射会导致结电容发生变化。DLTS测量电压反偏时，两个不同时刻的电容，输出这两个时刻的电容差，并且连续改变测量温度，从而输出两时刻电容差随温度变化的谱图。

进一步地，DLTS输出信号的理论公式的推导过程为：

半导体的结电容可以近似用平行板电容器的电容来表示，满足如下公式：

其中，C为结电容，ε为半导体介电常数，A为结面积，d为结的势垒区宽度。

当结中没有深能级缺陷时，电压反偏时势垒区宽度一般可以表示为如下形式：

其中，q为单位电荷，V

当结中有深能级缺陷时，施加反向偏压会导致电子或空穴从缺陷能级中发射出来，从而改变势垒区宽度，此时的势垒区宽度应为：

其中，d

进一步地，它可以用C

这样，DLTS的输出信号，即不同温度下，t

一般来说，相对于掺杂浓度，深能级缺陷浓度较低，式中被载流子占据的深能级缺陷浓度和掺杂浓度的比值是一个小量。运用泰勒公式，取

可以看到，DLTS的输出信号只与t

值得一提的是，由于N

现有方法和技术只能基于DFT计算得到的缺陷能级和载流子捕获截面定性模拟出DLTS，给出特定微观缺陷的峰位，很难明确辐照半导体中复杂且耦合的DLTS信号对应的微观缺陷类型。本实施例则采用了一种多尺度模拟方法，首先运用DFT等原子尺度方法获取辐照缺陷的基本性质，然后运用MC和OKMC方法模拟缺陷退火，得到退火后存活缺陷的浓度，接着计算基于求解基于SRH理论的缺陷速率方程，定量模拟DLTS。本实施例方法可以给出不同DLTS信号对应的微观缺陷类型、不同缺陷DLTS信号的相对强度以及不同缺陷在耦合的DLTS信号中所占比例。

此外，如图8所示，本发明第二实施例提出了一种辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟系统，所述系统包括：

获取模块10，用于获取半导体的性质参数及其辐照缺陷性质参数；

确定模块20，用于基于所述辐照缺陷性质参数，确定退火模拟中的缺陷类型和缺陷间的反应路径；

第一模拟模块30，用于以所述半导体的性质参数和辐照导致的PKA能谱作为输入条件，使用MC方法模拟获得初始点缺陷的空间分布；

第二模拟模块40，用于以所述初始点缺陷的空间分布作为初始条件，以所述辐照缺陷性质参数和所述缺陷间的反应路径作为输入，使用OKMC方法模拟获取退火后存活缺陷的类型及其浓度信息；

求解模块50，用于以所述存活缺陷的性质参数及其浓度信息作为输入，求解基于SRH理论的缺陷速率方程，得到不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓度；

定量模拟模块60，用于将不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓代入DLTS输出信号的理论公式，获得定量模拟的DLTS。

在一实施例中，所述确定模块20，包括：

类型确定单元，用于基于所述辐照缺陷性质参数，确定退火模拟中的缺陷类型包括所有本征点缺陷和结合能大于1.0eV的缺陷团簇；

反应路径确定单元，用于基于反应前缺陷形成能和反应后缺陷形成能之差大于1.0eV准则，确定缺陷间的反应路径。

在一实施例中，所述基于SRH理论的缺陷速率方程的数学形式为：

其中，t为时间；

在一实施例中，求解模块50，具体用于执行如下步骤：

(a)根据所述存活缺陷的类型及其浓度信息，构建待模拟深能级缺陷能级列表，并确定模拟DLTS的温度区间，其中，所述待模拟深能级缺陷能级列表中的缺陷为退火后存活的缺陷且带隙中贡献了缺陷能级。

(b)计算所述温度区间内不同温度下的载流子热运动速率

(c)从所述待模拟深能级缺陷能级列表中读入一个缺陷能级，并输入该缺陷能级不同温度下的载流子捕获截面和载流子发射的激活能。

(d)以所述浓度信息作为被载流子占据的深能级缺陷的初始浓度，并设定未被载流子占据的深能级缺陷初始浓度，使用开源的微分方程求解器lsoda，从低温到高温依次求解所述温度区间内不同温度下读入的缺陷能级所对应的所述基于SRH理论的缺陷速率方程，获得不同温度下不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓度。

循环(c)和(d)，直至所述待模拟深能级缺陷能级列表里所有缺陷能级对应的基于SRH理论的缺陷速率方程全部求解完毕。

在一实施例中，所述DLTS输出信号的理论公式为：

其中，ΔC

需要说明的是，本发明所述辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟系统的其他实施例或具有实现方法可参照上述各方法实施例，此处不再赘余。

需要说明的是，在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。

应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。