电性测试结构及电性测试方法

摘要

本发明涉及一种电性测试结构及电性测试方法。所述电性测试结构包括：多个待测组件，每个所述待测组件包括一待测结构、以及与所述待测结构电连接的保护结构；多个焊垫，每一所述待测组件连接两个所述焊垫，且每一所述焊垫能够同时连接两个所述待测组件，每一所述待测组件内的所述保护结构用于控制所述待测结构与所述焊垫之间是否导通。本发明能够有效节省焊垫的数量，同时提高了待测组件自身的抗干扰性，降低了待测结构之间的干扰。

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种电性测试结构及电性测试方法。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

为了确保3D NAND等半导体器件的性能，需要采用包括多个待测结构和多个焊垫的电性测试结构来实施电性测试。但是，当前的电性测试结构在对一个待测结构进行电性测试的过程中，易对其他的待测结构(例如与进行测试的待测结构相邻的待测结构)产生干扰，从而影响后续对其他的待测结构实施电性测试。

因此，如何减小电性测试过程中待测结构之间的干扰，确保电性测试顺利、稳定的进行，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种电性测试结构及电性测试方法，用于解决电性测试过程中待测结构之间易相互干扰的问题，以确保电性测试过程顺利、稳定的进行。

为了解决上述问题，本发明提供了一种电性测试结构，包括：

多个待测组件，每个所述待测组件包括一待测结构、以及与所述待测结构电连接的保护结构；

多个焊垫，每一所述待测组件连接两个所述焊垫，且每一所述焊垫能够同时连接两个所述待测组件，每一所述待测组件内的所述保护结构用于控制所述待测结构与所述焊垫之间是否导通。

可选的，还包括：

测试组件，包括测试结构，所述测试结构分别与多个所述焊垫电连接，用于向所述焊垫施加测试信号。

可选的，所述保护结构包括电流单向导通元件。

可选的，所述电流单向导通元件为晶体管。

可选的，所述电流单向导通元件为二极管。

可选的，在同一个所述待测组件中，所述待测结构与所述保护结构串联连接。

可选的，在与两个所述焊垫连接的一个所述待测组件中，所述待测结构的输入端连接一个所述焊垫，所述保护结构的第一端连接所述待测结构的输出端、所述保护结构的第二端连接另一个所述焊垫，且所述保护结构在电流自所述第一端输入时正向导通、在所述电流自所述第二端输入时反偏截止。

可选的，在与同一所述焊垫连接的两个所述待测组件中，一个所述待测组件中的所述保护结构的第二端连接该待测组件中的所述待测结构的输入端，另一个所述待测组件中的所述保护结构的第一端连接该待测组件中的所述待测结构的输出端，且所述保护结构在电流自所述第一端输入时正向导通、在所述电流自所述第二端输入时反偏截止。

可选的，所述待测结构为电介质击穿电压测试结构，且每个所述待测组件中的所述保护结构的反偏击穿电压与所述待测结构的预估击穿电压之和均大于各个所述待测结构中的最大预估击穿电压。

可选的，所述待测结构为栅氧电容结构、金属-绝缘体-金属电容结构或者金属-氧化物-金属电容结构。

可选的，所述电流单向导通元件为三极管；

在与两个所述焊垫连接的一个所述待测组件中，所述待测结构的输入端连接一个所述焊垫、所述待测结构的输出端通过所述保护结构的输入端，所述保护结构的输出端与另一个所述焊垫连接。

可选的，所述待测组件还包括：

控制电路，连接所述保护结构的控制端，用于控制所述保护结构的输入端与所述保护结构的输出端是否导通。

可选的，还包括：

衬底，所述衬底包括芯片区域和切割道区域；

所述待测组件与所述焊垫位于所述芯片区域；或者，

所述待测组件与所述焊垫位于所述切割道区域。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种电性测试方法，包括如下步骤：

配置多个待测组件、以及分别与多个所述待测组件连接的多个焊垫，每个所述待测组件包括一待测结构、以及与所述待测结构电连接的保护结构，每一所述待测组件连接两个所述焊垫，且每一所述焊垫能够同时连接两个所述待测组件；

连接多个所述焊垫至一测试组件，并选择一待测组件作为目标待测组件；

通过所述测试组件向与所述目标待测组件连接的一个所述焊垫施加测试信号，并控制所述目标待测组件中的所述保护结构导通、以及控制至少与所述目标待测组件连接同一所述焊垫的另一所述待测组件中的所述保护结构不导通。

可选的，所述保护结构包括电流单向导通元件。

可选的，配置多个待测组件、以及分别与多个所述待测组件连接的多个焊垫的具体步骤包括：

形成多个所述待测组件、以及多个所述焊垫；

串联连接每一个所述待测组件中的所述待测结构和所述保护结构、并分别连接多个所述待测组件与多个所述焊垫。

可选的，多个所述待测组件和多个所述焊垫均按配置顺序排列，在与两个所述焊垫连接的一个所述待测组件中，所述待测结构的输入端连接一个所述焊垫，所述保护结构的第一端连接所述待测结构的输出端、所述保护结构的第二端连接另一个所述焊垫，且所述保护结构在电流自所述第一端输入时正向导通、在所述电流自所述第二端输入时反偏截止；所述电性测试方法还包括如下步骤：

按所述配置顺序依次选择一个所述待测组件作为目标待测组件，且在向与所述目标待测组件连接的一个所述焊垫施加测试电压时，控制所述目标待测组件中的所述保护结构导通、以及控制按所述配置顺序位于所述目标待测组件之后的所述待测组件中的所述保护结构不导通。

可选的，在与同一所述焊垫连接的两个所述待测组件中，一个所述待测组件中的所述保护结构的第二端连接该待测组件中的所述待测结构的输入端，另一个所述待测组件中的所述保护结构的第一端连接该待测组件中的所述待测结构的输出端，且所述保护结构在电流自所述第一端输入时正向导通、在所述电流自所述第二端输入时反偏截止；所述电性测试方法还包括：

任意选择一个所述待测组件作为目标待测组件，且在向与所述目标待测组件连接的一个所述焊垫施加测试电压时，控制所述目标待测组件中的所述保护结构导通、以及控制与所述目标待测组件连接同一所述焊垫的另一所述待测组件中的所述保护结构不导通。

可选的，所述电流单向导通元件为二极管。

可选的，所述测试信号为电介质击穿测试信号。

本发明提供的电性测试结构及电性测试方法，通过在电性测试结构中配置多个待测组件和多个焊垫，且每一所述待测组件连接两个所述焊垫，且每一所述焊垫能够同时连接两个所述待测组件，从而能够实现多个待测组件之间的焊垫共享，使得能够有效节省焊垫的数量。同时，本发明提供的待测组件包括待测结构和保护结构，通过所述保护结构来控制焊垫与待测结构之间导通与否，避免了对共享焊垫施加测试信号时、测试信号流向不被选定测试的待测结构，进而提高了待测组件自身的抗干扰性，降低了待测结构之间的干扰。

附图说明

附图1是本发明具体实施方式中电性测试结构的原理示意图；

附图2是本发明具体实施方式中电性测试结构的一种电路连接示意图；

附图3是本发明具体实施方式中电性测试结构的另一种电路连接示意图；

附图4是本发明具体实施方式中电性测试结构的俯视示意图；

附图5是本发明具体实施方式中电性测试方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的电性测试结构及电性测试方法的具体实施方式做详细说明。

在集成电路晶圆中，电性测试结构摆放于切割道区域，并通过金属线连接到焊垫(Pad)。在电性测试过程中，自测试仪器引出的信号线通过探针接触所述焊垫，以通过所述焊垫向所述电性测试结构施加测试信号。在集成电路晶圆的切割道中通常设置有多个电性测试结构，而在电性测试的过程中，每个所述电性测试结构的信号端点都需要连接到焊垫上。随着所述电性测试结构数量的增多，需要的焊垫的数量也就相应增多。随着集成电路工艺复杂度的提升，需要在切割道中摆放的电性测试结构的数量大幅度增加，而切割道中的焊垫的数量基本不变，这就导致焊垫的数量难以满足所有所述电性测试结构的需求。为了解决这一问题，可以采用多个电性测试结构共享一个焊垫的方式，例如两个所述电性测试结构共享一个焊垫。但是，共享焊垫的测试方式，在对一个电性测试结构进行测试的过程中，易对其他电性测试结构造成影响，例如在对一个电性测试结构进行电介质击穿测试时，易造成其他电性测试结构的击穿，从而影响其他电性测试结构正常的进行电性测试。

为了提高待测结构的抗干扰性，从而降低待测结构之间的干扰，本具体实施方式提供了一种电性测试结构，附图1是本发明具体实施方式中电性测试结构的原理示意图。所述电性测试结构，包括：

多个待测组件，每个所述待测组件包括一待测结构、以及与所述待测结构电连接的保护结构；

多个焊垫，每一所述待测组件连接两个所述焊垫，且每一所述焊垫能够同时连接两个所述待测组件，每一所述待测组件内的所述保护结构用于控制所述待测结构与所述焊垫之间是否导通。

本具体实施方式中所述的多个是指两个以上。本具体实施方式中通过设置每一所述待测组件连接两个所述焊垫、且每一所述焊垫同时连接两个所述待测组件，从而使得所述电性测试结构中任意的两个所述待测组件能够共享一个所述焊垫，从而有效节省了所述电性测试结构中满足所有所述待测组件所需的所述焊垫的数量。与一个所述待测组件连接的两个所述焊垫可以相邻、也可以不相邻；与一个所述焊垫同时连接的两个所述待测组件可以相邻、也可以不相邻。在一实施例中，与一个所述待测组件连接的两个所述焊垫相邻，与一个所述焊垫同时连接的所述待测组件也相邻，从而简化所述电性测试结构内部的连接线路，缩短所述焊垫与所述待测组件之间的连接线长度，从而降低电路损耗。

可选的，所述电性测试结构还包括：

测试组件，包括测试结构12，所述测试结构12分布于多个所述焊垫电连接，用于向所述焊垫施加测试信号。

具体来说，如图1-图3所示，所述测试结构12通过多个探针13分别与所述第一焊垫111、所述第二焊垫112、所述第三焊垫113和所述第四焊垫114电连接。所述测试结构12发出的测试信号经所述探针13传输至所述焊垫。

附图2是本发明具体实施方式中电性测试结构的一种电路连接示意图，附图3是本发明具体实施方式中电性测试结构的另一种电路连接示意图。举例来说，如图1-图3所示，所述电性测试结构包括第一待测组件101、第二待测组件102、第三待测组件103、第一焊垫111、第二焊垫112、第三焊垫113和第四焊垫114。所述第一待测组件101的两端分别连接所述第一焊垫111和所述第二焊垫112，所述第二待测组件102的两端分别连接所述第二焊垫112和所述第三焊垫113，所述第三待测组件103的两端分别连接所述第三焊垫113和所述第四焊垫114。所述第一待测组件101和所述第二待测组件102共享所述第二焊垫112，所述第二待测组件102和所述第三待测组件103共享所述第三焊垫113，即使得两个所述待测组件仅需设置三个所述焊垫，从而减少了所述焊垫的数量。所述第一待测组件101包括第一待测结构1011和第一保护结构1012，所述第二待测组件102包括第二待测结构1021和第二保护结构1022，所述第三待测组件103包括第三待测结构1031和第三保护结构1032。所述第一保护结构1012用于控制所述第一待测结构1011与所述第一焊垫111或所述第二焊垫112是否导通(即用于控制所述第一焊垫111与所述第二焊垫112是否导通)，所述第二保护结构1022用于控制所述第二待测结构1021与所述第二焊垫112或所述第三焊垫113是否导通(即用于控制所述第二焊垫112与所述第三焊垫113是否导通)，所述第三保护结构1032用于控制所述第三待测结构1031与所述第三焊垫113或所述第四焊垫114是否导通(即用于控制所述第三焊垫113与所述第四焊垫114是否导通)。

本具体实施方式通过在所述待测组件中设置与所述待测结构连接的保护结构，通过所述保护结构控制所述待测结构与所述焊垫之间的导通与否，从而使得在通过一个所述焊垫向一个所述待测组件中的所述待测结构传输测试信号时，即便是向其他所述焊垫施加所述测试信号的其他探针、或者连接其他所述探针与所述测试结构的信号线不能处于悬浮状态(即所述探针与所述信号线均不与所述焊垫接触的状态)，本具体实施方式也能避免所述测试信号通过共享焊垫流向其他的所述待测组件，提高了待测组件的抗干扰性，减小甚至是避免了待测组件之间的相互干扰，确保了所述电性测试结构中的所有所述待测组件都能顺利的进行电性测试。

可选的，所述保护结构包括电流单向导通元件。

具体来说，由于所述电流单向导通元件是通过电流的输入方向直接、主动控制所述店里单向导通元件的导通与否，无需设置其他的控制电路结构，从而有助于简化所述电性测试结构的整体结构、以及简化电性测试方法的操作步骤。

可选的，所述电流单向导通元件为晶体管。由于二极管制造工艺相对较为简单，且占用面积相对较小，在一实施例中，所述电流单向导通元件为二极管。

可选的，在同一个所述待测组件中，所述待测结构与所述保护结构串联连接。

可选的，所述待测结构为电介质击穿电压测试结构，且每个所述待测组件中的所述保护结构的反偏击穿电压与所述待测结构的预估击穿电压之和均大于各个所述待测结构中的最大预估击穿电压。

可选的，所述待测结构为栅氧电容结构、金属-绝缘体-金属电容结构或者金属-氧化物-金属电容结构。

具体来说，在对一待测结构进行电介质层击穿电压测试之前，所述待测结构的击穿电压会有一个预估范围(即所述预估击穿电压)，电介质层击穿电压测试的目的在于获取精确的电介质击穿电压值。多个所述待测结构的预估击穿电压可能相同、也可能不相同，为了避免待测结构受到损伤以及保证电介质击穿电压测试的正常进行，本具体实施方式以各个所述待测结构中的预估击穿电压的最大值作为基准，来选择相应的电流单向导通元件。进一步地，在选择电流单向导通元件时，适当增加反偏击穿电压余量，以在考虑成本的基础上，充分对其所串联的待测结构进行保护，避免相应待测结构受到软损伤(soft damage)。

当所述待测结构为电介质击穿电压测试结构时，所述待测结构中的电介质例如可以为：ILD(Inter Layer Dielectric，层间电介质)电介质、IMD(Inter Metal Dielectric，金属间电介质)的任意其中之一。相应的电介质电容可以为：栅氧电容、MIM(MetalInsulator Metal，金属-绝缘体-金属)电容、MOM(Metal Oxide Metal，金属-氧化物-金属)电容的任意其中之一。在其它实施例中，所述电介质也可以是本领域技术人员已知的其它电介质。

在一实施例中，如图2所示，在与两个所述焊垫连接的一个所述待测组件中，所述待测结构的输入端连接一个所述焊垫，所述保护结构的第一端连接所述待测结构的输出端、所述保护结构的第二端连接另一个所述焊垫，且所述保护结构在电流自所述第一端输入时正向导通、在所述电流自所述第二端输入时反偏截止。

以下以所述保护结构为二极管、所述保护结构的第一端为二极管的正极、所述保护结构的第二端为二极管的负极、所述待测结构为电介质击穿电压测试结构为例进行说明。举例来说，如图2所示，所述第一待测组件101、所述第二待测组件102和所述第三待测组件103顺序排布，且所述第一待测组件101中的所述第一待测结构的输入端连接所述第二焊垫112、输出端连接所述第一保护结构1012的第一端，所述第一保护结构1012的第二端连接所述第一焊垫111。所述第二待测组件102中的所述第二待测结构1021的输入端连接所述第三焊垫113、输出端连接所述第二保护结构1022的第一端，所述第二保护结构1022的第二端连接所述第二焊垫112。所述第三待测组件103中的所述第三待测结构1031的输入端连接所述第四焊垫114、输出端连接所述第三保护结构1032的第一端，所述第三保护结构1032的第二端连接所述第三焊垫113。

在电性测试过程中，按照多个所述待测组件的排布顺序，依次对每个所述待测组件进行测试。以下仍以所述保护结构为二极管、所述保护结构的第一端为二极管的正极、所述保护结构的第二端为二极管的负极、所述待测结构为电介质击穿电压测试结构为例进行说明。举例来说，如图2所示，在对所述第一待测组件101中的所述第一待测结构1011进行测试时，所述测试结构12通过一个所述探针13向所述第二焊垫112施加测试信号、所述第一焊垫111接地，所述测试信号自所述第二焊垫112流向所述第一待测结构1011，所述第一保护结构1012正偏导通，而与所述第二焊垫112连接的所述第二待测组件102中的所述第二保护结构1022反偏截止，从而避免了所述测试信号流向所述第二待测结构1021，增强了所述第二待测组件102的抗干扰性，减小甚至是避免了所述第一待测结构1011与所述第二待测结构1021之间的相互影响。在所述第一待测结构1011完成电介质击穿电压测试之后，所述测试结构12再通过另一个所述探针13向所述第三焊垫113施加测试信号，所述第二焊垫112接地，所述测试信号自所述第三焊垫113流向所述第二待测结构1021，所述第二保护结构正偏导通，而与所述第三焊垫113连接的所述第三待测组件103中的所述第三保护结构1032反偏截止，从而避免了所述测试信号流向所述第三待测结构1031。由于所述第一待测结构1011已完成测试，故无需再保护。以此类推，直至所述电性测试结构中的所有所述待测组件顺序完成测试。

在另一实施例中，如图3所示，在与同一所述焊垫连接的两个所述待测组件中，一个所述待测组件中的所述保护结构的第二端连接该待测组件中的所述待测结构的输入端，另一个所述待测组件中的所述保护结构的第一端连接该待测组件中的所述待测结构的输出端，且所述保护结构在电流自所述第一端输入时正向导通、在所述电流自所述第二端输入时反偏截止。

以下以所述保护结构为二极管、所述保护结构的第一端为二极管的正极、所述保护结构的第二端为二极管的负极、所述待测结构为电介质击穿电压测试结构为例进行说明。举例来说，如图3所示，所述第一待测组件101中的所述第一待测结构1011的输入端连接所述第一保护结构1012的第二端、输出端连接所述第二焊垫112，所述第一保护结构1012的第一端连接所述第一焊垫111。所述第二待测组件102中的所述第二待测结构1021的输出端连接所述第二保护结构1022的第一端、输入端连接所述第三焊垫113，所述第二保护结构1022的第二端连接所述第二焊垫112。

在电性测试过程中，无需按顺序对多个所述待测组件进行测试。以下仍以所述保护结构为二极管、所述保护结构的第一端为二极管的正极、所述保护结构的第二端为二极管的负极、所述待测结构为电介质击穿电压测试结构为例进行说明。举例来说，如图3所示，在对所述第一待测组件101中的所述第一待测结构1011进行测试时，所述测试结构12通过一个所述探针13向所述第一焊垫111施加测试信号，所述第二焊垫112接地，所述测试信号经所述第一焊垫111流向所述第一待测组件101，所述第一保护结构1012正偏导通，而与所述第二焊垫112连接的所述第二待测组件102中的所述第二保护结构1022反偏截止，从而避免了所述测试信号流向所述第二待测结构1021，增强了所述第二待测组件102的抗干扰性，减小甚至是避免了所述第一待测结构1011与所述第二待测结构1021之间的相互影响。在对所述第二待测组件102中的所述第二待测结构1021进行测试时，所述测试结构12通过另一个所述探针13向所述第三焊垫113施加测试信号，所述第二焊垫112接地，所述测试信号经所述第三焊垫113流向所述第二待测组件102，所述第二保护结构1022正偏导通，而与所述第二焊垫112连接的所述第一待测组件101中的所述第一保护结构1012反偏截止，从而增强了所述第一待测组件101的抗干扰性。

为了提高所述电性测试结构中测试选择的灵活性，可选的，所述电流单向导通元件为三极管；

在与两个所述焊垫连接的一个所述待测组件中，所述待测结构的输入端连接一个所述焊垫、所述待测结构的输出端通过所述保护结构的输入端，所述保护结构的输出端与另一个所述焊垫连接。

可选的，所述待测组件还包括：

控制电路，连接所述保护结构的控制端，用于控制所述保护结构的输入端与所述保护结构的输出端是否导通。

附图4是本发明具体实施方式中电性测试结构的俯视示意图。可选的，如图4所示，所述电性测试结构还包括：

衬底，所述衬底包括芯片区域40和切割道区域41；

所述待测组件与所述焊垫位于所述芯片区域40；或者，

所述待测组件与所述焊垫位于所述切割道区域41。

具体来说，多个所述待测组件与多个所述焊垫可以均设置于所述芯片区域40，也可以均设置于所述切割道区域41。当所述待测组件与所述焊垫均设置于所述切割道区域41时，所述待测组件与所述焊垫应位于同一条切割道中，以简化所述待测组件与所述焊垫之间的电连接操作。

不仅如此，本具体实施方式还提供了一种电性测试方法，附图5是本发明具体实施方式中电性测试方法的流程图。本具体实施方式中提供的电性测试方法可以采用如图1-图4所示的电性测试结构实施。如图1-图5所示，所述电性测试方法，包括如下步骤：

步骤S51，配置多个待测组件、以及分别与多个所述待测组件连接的多个焊垫，每个所述待测组件包括一待测结构、以及与所述待测结构电连接的保护结构，每一所述待测组件连接两个所述焊垫，且每一所述焊垫能够同时连接两个所述待测组件；

步骤S52，连接多个所述焊垫至一测试组件，并选择一待测组件作为目标待测组件；

步骤S53，通过所述测试组件向与所述目标待测组件连接的一个所述焊垫施加测试信号，并控制所述目标待测组件中的所述保护结构导通、以及控制至少与所述目标待测组件连接同一所述焊垫的另一的所述待测组件中的所述保护结构不导通。

可选的，所述保护结构包括电流单向导通元件。

可选的，配置多个待测组件、以及分别与多个所述待测组件连接的多个焊垫的具体步骤包括：

形成多个所述待测组件、以及多个所述焊垫；

串联连接每一个所述待测组件中的所述待测结构和所述保护结构、并分别连接多个所述待测组件与多个所述焊垫。

可选的，多个所述待测组件和多个所述焊垫均按配置顺序排列，在与两个所述焊垫连接的一个所述待测组件中，所述待测结构的输入端连接一个所述焊垫，所述保护结构的第一端连接所述待测结构的输出端、所述保护结构的第二端连接另一个所述焊垫，且所述保护结构在电流自所述第一端输入时正向导通、在所述电流自所述第二端输入时反偏截止；所述电性测试方法还包括如下步骤：

按所述配置顺序依次选择一个所述待测组件作为目标待测组件，且在向与所述目标待测组件连接的一个所述焊垫施加测试电压时，控制所述目标待测组件中的所述保护结构导通、以及控制按所述配置顺序位于所述目标待测组件之后的所述待测组件中的所述保护结构不导通。

可选的，在与同一所述焊垫连接的两个所述待测组件中，一个所述待测组件中的所述保护结构的第二端连接该待测组件中的所述待测结构的输入端，另一个所述待测组件中的所述保护结构的第一端连接该待测组件中的所述待测结构的输出端，且所述保护结构在电流自所述第一端输入时正向导通、在所述电流自所述第二端输入时反偏截止；所述电性测试方法还包括：

任意选择一个所述待测组件作为目标待测组件，且在向与所述目标待测组件连接的一个所述焊垫施加测试电压时，控制所述目标待测组件中的所述保护结构导通、以及控制与所述目标待测组件连接同一所述焊垫的另一所述待测组件中的所述保护结构不导通。

可选的，所述电流单向导通元件为二极管。

可选的，所述测试信号为电介质击穿测试信号。

本具体实施方式提供的电性测试结构及电性测试方法，通过在电性测试结构中配置多个待测组件和多个焊垫，且每一所述待测组件连接两个所述焊垫，且每一所述焊垫能够同时连接两个所述待测组件，从而能够实现多个待测组件之间的焊垫共享，使得能够有效节省焊垫的数量。同时，本发明提供的待测组件包括待测结构和保护结构，通过所述保护结构来控制焊垫与待测结构之间导通与否，避免了对共享焊垫施加测试信号时、测试信号流向不被选定测试的待测结构，进而提高了待测组件自身的抗干扰性，降低了待测结构之间的干扰。

以上所述仅是本发明的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。