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一种基于网格变形和低阶近似的光场拼接方法及终端

摘要

本发明提供基于网格变形和低阶近似的光场拼接方法,包括:获得待拼接光场的深度图;根据所述深度图将中心子孔径图像分为前景、后景;提取特征点后,对左、右两光场的后景进行匹配;基于传统二维图像,拼合所述中心子孔径图像;使用控制点引导网络变形方法校准两个不同的光场到全景图上;用光场的低秩特征,在不使用四维图割的前提下,寻找校准后光场的缝合线并进行融合。本发明使用控制点引导网格变形技术校准两个不同的光场到全景图上,并应用低秩近似直接采用传统的二维图割取代四维图割从而降低方法的时间复杂度。与其他的光场拼接算法相比具有更好的拼接质量、角度域一致性以及更低的时间复杂度。

著录项

  • 公开/公告号CN114862677A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-08-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN202210483032.6

  • 发明设计人 安平;薛潮;陈亦雷;黄新彭;

    申请日2022-05-05

  • 分类号G06T3/40(2006.01);G06T7/50(2017.01);G06T7/194(2017.01);G06T7/33(2017.01);G06T5/50(2006.01);G06T17/20(2006.01);

  • 代理机构上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317;上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317;

  • 代理人徐红银;张琳

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2023-06-19 16:20:42

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