公开/公告号CN114770852A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-22
原文格式PDF
申请/专利权人 通达(石狮)科技有限公司;
申请/专利号CN202210233661.3
申请日2022-03-10
分类号B29C45/00;B29C45/26;B29L31/34;
代理机构泉州市立航专利代理事务所(普通合伙);
代理人李政
地址 362700 福建省泉州市石狮市蚶江镇港口大道1800号
入库时间 2023-06-19 16:04:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-22
公开
发明专利申请公布
技术领域
本发明涉及一种手机配件生产工艺,具体涉及手机后盖的成型工艺。
背景技术
现有的手机后盖普遍是塑料制成,其大多数采用的是模内注塑工艺加工,使手机后盖的纹理较为丰富多彩。然后此种模内注塑而成的手机后盖只有在膜片的一面上作一层纹理层和一电镀层,无法呈现双纹双镀的效果,从而使客户对于手机后盖的外观效果无法满足,若要满足双纹双镀效果的话只能在原有的纹理层上再作一层电镀层和一纹理层,这样做的话工艺非常麻烦,且会产生气泡及起皱现象,良率低,造成双纹双镀的后盖的造价成本高。
鉴于此,本案发明人对上述问题进行深入研究,遂有本案产生。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双纹双镀效果的ICM后盖成型工艺,以解决现有的模内注塑后盖实现双纹双镀效果而造成工艺麻烦,良率低的问题。
为了达到上述目的,本发明采用这样的技术方案:
本发明的一种双纹双镀效果的ICM后盖成型工艺,包括注塑工艺、膜片处理工艺、粘合工艺和CNC工艺,其中,
所述注塑工艺通过如下步骤实现:
步骤一、注塑,通过注塑料和注塑模具注塑出注塑件,注塑模具具有母模具和与母模具合模的公模具,公模具具有模腔,模腔朝母模具的一面具有用于成型纹理的凸条,凸条的深度小于0.03mm,注塑件与手机后盖的形相吻合,注塑件具有背板和处于背板一面的闭环形侧板,背板的一面一体注塑成型出纳米级纹理层,纳米级纹理层与闭环形侧板共处于背板同一侧;
步骤二、在步骤一的注塑件的纳米级纹理层上电镀一电镀层,得到单纹单镀的注塑件;
所述膜片处理工艺通过如下步骤实现:
步骤10,准备其尺寸大于步骤一注塑件展开尺寸的防爆膜片,
步骤20,在步骤10的防爆膜片的一面上UV转印一纹理层;
步骤30,在步骤20的纹理层上电镀一电镀层;
步骤40,在步骤30的电镀层上印刷一底色油墨层;得到一面为防爆膜片面、另一面为底色油墨面的半成品膜片;
步骤50,在步骤40的半成品膜片的防爆膜片面上涂上一厚度为0.02-0.025mm的OCA胶层,得到带胶面的成品膜片;
所述粘合工艺是将步骤二的单纹单镀的注塑件与步骤50的成品膜片相贴合,单纹单镀的注塑件的电镀层与成品膜片的OCA胶层相贴合,贴合后成品膜片的边沿处于单纹单镀的注塑件边沿外,得到贴合件,之后将贴合件放进除泡机内在50-60度的温度进行除泡,得到除泡成品;
所述CNC工艺是将除泡成品上成品膜片位于注塑件边沿外的部位进行CNC切除,使成品膜片与注塑件相吻合,得到ICM后盖。
上述公模具朝向母模具的一面凹设有与手机后盖相吻合的注塑凹腔,此注塑凹腔为所述的模腔,上述注塑凹腔具有沿手机后盖的长度方向延伸的长方形纹路区和处于长方形纹路区外围的光面区,上述长方形纹路区为一平直面,上述长方形纹路区上凸设有间隔排列的凸纹路条,上述凸纹路条的深度为0.02-0.03mm,上述长方形纹路区与光面区之间的间距为0.01-0.015mm,上述长方形纹路区的四侧沿处均设有渐消区,各渐消区的宽度渐消至0,并渐消至长方形纹路区的边沿线上。
以长方形纹路区的长度方向为左右方向,上述长方形纹路区的左侧沿具有与左侧沿长度相吻合的左渐消区,左渐消区的宽度由前至后从0.5mm渐消至0,上述长方形纹路区的前侧沿具有与前侧沿长度相吻合的前渐消区,前渐消区的宽度由左至右从0.5mm渐消至0,上述长方形纹路区的右侧沿具有与右侧沿长度相吻合的右渐消区,右渐消区的宽度由后至前从0.5mm渐消至0,上述长方形纹路区的后侧沿具有与后侧沿长度相吻合的后渐消区,后渐消区的宽度由右至左从0.5mm渐消至0。
在步骤50中,除泡时,将贴合件放置在托盘内,托盘再叠放在除泡机的箱体内,在真空环境下,加温至60度,向下压力在9-13公斤的状态维持2小时。
在步骤40中,上述OCA胶层的厚度为0.025mm。
采用上述技术方案,本发明的一种双纹双镀效果的ICM后盖成型工艺,通过特定的模具可以一体注塑出带有纹路的注塑件,并在注塑件做一电镀层,之后再与特定的带有纹路的防爆膜片进行贴合即可得到双纹双镀视觉效果的后盖,整个工艺非常简易,并能气泡和起皱的现象,且良率高。
附图说明
图1为本发明中公模具的结构示意图;
图2为注塑腔室位于一侧边沿处的局部示意图。
具体实施方式
为了进一步解释本发明的技术方案,下面通过具体实施例进行详细阐述。
本发明的一种双纹双镀效果的ICM后盖成型工艺,包括注塑工艺、膜片处理工艺、粘合工艺和CNC工艺,其中,
所述注塑工艺通过如下步骤实现:
步骤一、注塑,通过注塑料和注塑模具注塑出注塑件,该注塑件的注塑工艺是公知的,与现有的注塑工艺相比,区别在于,特定的注塑模具,注塑模具具有母模具(图中未画出)和与母模具合模的公模具1,公模具和母模具的结构均是公知的在此不再累述,改进在于注塑腔室,如图1、2所示,公模具1具有模腔11,模腔11朝母模具的一面具有用于成型纹理的凸条,凸条的深度小于0.03mm,注塑件与手机后盖的形相吻合,注塑件具有背板和处于背板一面的闭环形侧板,背板的一面一体注塑成型出纳米级纹理层,纳米级纹理层与闭环形侧板共处于背板同一侧,以背板的一面为背面,一面为正面,背板的正面一体注塑成型出纳米级纹理层,闭环形侧板在背面的正面;
优佳的是,所述公模具1朝向母模具的一面凹设有与手机后盖相吻合的注塑凹腔,此注塑凹腔为所述的模腔,注塑凹腔具有沿手机后盖的长度方向延伸的长方形纹路区111和处于长方形纹路区外围的光面区112,长方形纹路区111为一平直面,长方形纹路区111上凸设有间隔排列的凸纹路条113,凸纹路条113的深度为0.02-0.03mm,优佳为0.03mm,此凸纹路条113的深度方向与注塑腔室的深度方向相同,长方形纹路区111与光面区112之间的间距为0.01-0.015mm,优佳为0.1mm,长方形纹路区111的四侧沿处均设有渐消区114,各渐消区114的宽度渐消至0,并渐消至长方形纹路区的边沿线上。
具体的是,以长方形纹路区111的长度方向为左右方向,即手机后盖的长度方向也为左右方向,宽度方向为前后方向,长方形纹路区的左侧沿具有与该左侧沿长度相吻合的左渐消区,左渐消区的宽度由前至后从0.5mm渐消至0,长方形纹路区的前侧沿具有与该前侧沿长度相吻合的前渐消区,前渐消区的宽度由左至右从0.5mm渐消至0,长方形纹路区的右侧沿具有与该右侧沿长度相吻合的右渐消区,右渐消区的宽度由后至前从0.5mm渐消至0,上述长方形纹路区的后侧沿具有与该后侧沿长度相吻合的后渐消区,后渐消区的宽度由右至左从0.5mm渐消至0。
步骤二、在步骤一的注塑件的纳米级纹理层上电镀一电镀层,得到单纹单镀的注塑件,此电镀的方式采用的是现有的电镀方式;
所述膜片处理工艺通过如下步骤实现:
步骤10,准备其尺寸大于步骤一注塑件展开尺寸的防爆膜片;
步骤20,在步骤10的防爆膜片的一面上UV转印一纹理层;
步骤30,在步骤20的纹理层上电镀一电镀层;
步骤40,在步骤30的电镀层上印刷一底色油墨层,得到一面为防爆膜片面、另一面为底色油墨面的半成品膜片;
步骤50,在步骤40的半成品膜片的防爆膜片面上涂上一厚度为0.02-0.025mm的OCA胶层,得到带胶面的成品膜片,此OCA胶层的厚度为0.025mm;
所述粘合工艺是将步骤二的单纹单镀的注塑件与步骤50的成品膜片相贴合,单纹单镀的注塑件的电镀层与成品膜片的OCA胶层相贴合,贴合后成品膜片的边沿处于单纹单镀的注塑件边沿外,得到贴合件,之后将贴合件放进除泡机内在50-60度的温度进行除泡,得到除泡成品;
所述CNC工艺是将除泡成品上成品膜片位于注塑件边沿外的部位进行CNC切除,使成品膜片与注塑件相吻合,得到ICM后盖。
本发明的一种双纹双镀效果的ICM后盖成型工艺,通过在注塑腔室内设置长方形纹路区,使注塑件成型后朝向膜片的一面具有纹路结构,形成一纹路层,再利用长方形纹路区与光面区之间的间距方便产品的脱模,避免产品表面具有纹路而无法脱模,再有,能各渐消区是为了与长方形纹路区与光面区之间的间距接顺,并不是直接从有变到无的状态,从而使外观更容易接受、顺畅,这样采用特定的公模具使注塑出来的注塑件带有纹路,且纹路的设置不会影响注塑操作,注塑后再与带有纹路和电镀的防爆膜片,只有采用该防爆膜片才能实现与注塑件的贴合工艺,从而使注塑件无需二次注塑出第二个纹路,与现有技术相比,整体工艺利用注塑件的纹路和电镀及防爆膜片的纹和电镀的结合实现双纹双镀的视觉效果,工艺非常简易,且注塑件与膜片直接贴合并进行气泡处理,使整个成品无气泡和起皱的现象,良率高,另,正是采用限定厚度的OCA胶层使贴合时不会出现桔皮或者裂纹的问题。
本发明中,在步骤50中,除泡时,将贴合件放置在托盘内,托盘再叠放在除泡机的箱体内,在真空环境下,加温至60度,向下压力在9-13公斤的状态维持2小时,正是采用此一限定才使整个贴合件不受损还得到去泡。
上述实施例并非限定本发明的生产方式,任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰,皆应视为不脱离本发明的专利范畴。
机译: 使用至少一种磷化合物;含一种或多种双碳二酸消化剂的混合物;使用混合物;蒸馏精制双碳酸酯的方法和工艺
机译: 一种根据内部高压成型工艺在部件中制造双壁开口的方法
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法