包括单片集成的光电二极管和跨阻放大器的光接收器

摘要

一种光接收器包括单片集成的针状光电二极管(PIN)和跨阻放大器(TIA)。所述TIA包括InP异质结双极晶体管(HBT),其由生长在SI:InP衬底上的外延层堆叠的第一多个层制成；所述PIN由所述外延层堆叠的第二多个层制成。所述PIN的p型触点垂直连接到所述TIA的输入，以降低PIN电容CPIN。所述TIA电容CTIA可以被蚀刻到CPIN。将包括吸收层的厚度、窗口面积和任选的所述PIN的镜面厚度、装置电容CPIN+CTIA和所述TIA的反馈电阻RF的装置参数优化为包括在工作波长下的特定灵敏度和响应度的性能规格。这种设计方法能够经济高效地制造集成PIN‑TIA，用于10G‑PON ONU的1577nm接收器等应用。