一种调控被刻蚀材料侧壁刻蚀斜面角度的刻蚀工艺方法

摘要

本发明公开了一种调控被刻蚀材料侧壁刻蚀斜面角度的刻蚀工艺方法，包括：步骤1、对待刻蚀平片进行清洗后旋涂光刻胶；步骤2、采用lift‑off工艺制作对准标记mark，将步骤1所得样品进行曝光、显影后沉积Ti/Au薄膜，剥离光刻胶后得到后道光刻工艺对准标记mark；步骤3、将步骤2所得样品清洗后再次旋涂光刻胶，使用第一掩模版对准标记mark后进行倾斜曝光，显影后形成光刻胶侧壁倾斜面，再通过其他掩模版继续对准标记mark进行多次曝光，在显影后形成多方向光刻胶侧壁倾斜面；步骤4、对步骤3所得样品进行干法刻蚀，刻蚀至深度设定值；步骤5、将步骤4所得样品放入丙酮溶液中，去除剩余光刻胶，得到被刻蚀材料侧壁斜面角度。本发明主要用于半导体技术领域。