基于对读取错误敏感性的存储器单元的刷新操作

摘要

描述了用于基于块对读取错误的敏感性来周期性地刷新存储器单元的块中的字线电压的装置和技术。读取错误的一个来源是延迟读取干扰，该延迟读取干扰由存储器设备的空闲时段期间的低字线电压产生。在一个方面，基于诸如块中每单元位数和编程‑擦除(P‑E)循环数量等因素优化周期性刷新操作。例如，在高P‑E循环处，单电平单元(SLC)块的刷新电压的幅度可为0V或更低，而多电平单元(MLC)块的刷新电压的幅度可以是介于0V与通过电压之间的中间电压。