首页> 中国专利> 存储芯片、存储芯片的读写方法、读写装置和单片机

存储芯片、存储芯片的读写方法、读写装置和单片机

摘要

本申请提供了一种存储芯片、存储芯片的读写方法、读写装置和单片机,该存储芯片包括主存储器和辅存储器,辅存储器包括缓冲器,主存储器包括:存储阵列,包括多个存储单元;多个间隔的位线,存储单元列通过位线与缓冲器一一对应地通信连接,一个存储单元列包括一条位线连接的所有存储单元。该主存储器RAM的位线的一端与辅存储器的缓冲器一一对应通信连接,使得主存储器RAM和辅存储器实现并行通信,相比于现有技术中主存储器RAM和辅存储器之间进行串行通信,大大提升了数据传输速度,提高了主存储器RAM的读写操作效率,解决了现有技术中RAM的读写操作效率低的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN113936727A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN202111139073.5

  • 发明设计人 杨盛玮;

    申请日2021-09-27

  • 分类号G11C16/10(2006.01);G11C16/24(2006.01);G11C16/26(2006.01);

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司 11240;

  • 代理人霍文娟

  • 地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

  • 入库时间 2023-06-19 15:49:21

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号