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一种采用多靶共沉积磁控溅射高通量技术制备梯度Nb-Si基合金薄膜的方法

摘要

本发明公开了属于梯度合金薄膜制备技术领域的一种采用多靶共沉积磁控溅射高通量技术制备梯度Nb‑Si基合金薄膜的方法。所述方法在高纯Mo基体上,采用高纯Cr靶材、Si靶材和xNb‑yB‑zTi‑kAl合金靶材三靶材共沉积磁控溅射高通量技术,制备成分梯度Nb‑Si基合金薄膜。本方法便于大批量的对不同元素比例的Nb‑Si基合金进行性能测试,快速的选取出最优的元素成分比例,提高工作效率。

著录项

  • 公开/公告号CN114657524A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 有研工程技术研究院有限公司;

    申请/专利号CN202210221598.1

  • 发明设计人 姜威;

    申请日2022-03-07

  • 分类号C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;C22C27/02;C22B9/22;C22B34/34;

  • 代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司;

  • 代理人张文宝

  • 地址 101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号

  • 入库时间 2023-06-19 15:46:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-24

    公开

    发明专利申请公布

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