一种通过改变局部侧向折射率来实现基模激射的半导体激光器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种通过改变局部侧向折射率来实现基模激射的半导体激光器，本发明的通过改变局部侧向折射率来实现基模激射的半导体激光器在半导体激光器脊条两侧各设计一凸起结构，通过该凸起结构使得该结构下方波导区域的实际折射率变大，将传播到此处的高阶模导引到两侧波导层并损耗掉，进而使得高阶模的的泄露损耗增大，可实现大的基模光模式体积，可使得大条宽、大电流下实现稳定的基侧模工作。