一种实现基侧模激射的半导体激光器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种实现基侧模激射的半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括包括自下到上依次设置的N面电极、衬底、缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层和P型限制层，P型限制层包括本体层和由本体层中间条形区域凸出形成的脊条，脊条上依次设置有接触层和P面电极；P型限制层中脊条的两侧设置有纵向折射率型布拉格光栅，纵向折射率型布拉格光栅为高低间隔分布的周期性结构光栅。本发明通过在半导体激光器侧向采用布拉格光栅来限制光场模式，可实现基模与高阶模之间较大的泄露损耗，高阶模无法形成有效震荡，可在大条宽、大电流下实现基侧模激射，在10μm条宽、2A电流下实现基侧模激射。