产生具有沟槽的半导体本体的方法、具有至少一个沟槽的半导体本体以及半导体器件

摘要

提出了一种产生具有沟槽的半导体本体的方法。半导体本体(10)包括基板(16)。该方法包括使用蚀刻掩模(38)将沟槽(11)蚀刻到基板(16)中的步骤。通过基板(16)的氧化至少在沟槽(11)的侧壁(14)上形成氧化物层(12)。钝化层(13)形成在氧化物层(12)和沟槽(11)的底部(15)上。从沟槽(11)的底部(15)去除钝化层(13)。最后，将金属喷镀层(18)沉积到沟槽(11)中。