梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点

摘要

本发明提供了一种梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点，属于量子点制备技术领域。方法包括以下步骤：S1、将Cd源、Se源、配位溶剂和非配位溶剂混合，得到混合溶液；S2、将步骤S1的混合溶液升温至第一温度保温，然后降温至第二温度保温，得到含有量子点晶核的混合溶液；S3、将步骤S2的混合溶液升温至第三温度保温；S4、将步骤S3的混合溶液升温至第四温度保温，形成CdSe量子点；其中，第一温度和第二温度的温度差为10‑30℃。本发明通过控制成核温度和晶核熟化温度，使生长阶段的单体浓度始终维持在成核临界浓度以下、生长临界浓度以上，保证成核与生长过程分离开，以提高由晶核生长形成的量子点尺寸的均一性，制备得到的量子点半峰宽极窄。