一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器

摘要

本发明涉及手性分子探测技术领域，具体涉及一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，包括栅极、绝缘层、拓扑绝缘体层、源极、漏极，栅极置于绝缘层的底部，拓扑绝缘体层置于绝缘层上，源极和漏极置于拓扑绝缘体层上；应用时，手性分子置于拓扑绝缘体层上源极和漏极之间，同时应用圆偏振光照射手性分子。不同圆偏振光照射时，手性分子与拓扑绝缘体层之间的异质结不同，从而改变了拓扑绝缘体层的导电特性，通过拓扑绝缘体层导电特性的变化实现手性分子手性探测。本发明，不需要应用光谱仪等设备，成本低，在手性分子探测方面具有良好的应用前景。