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一种集成自偏置pMOS低关断损耗的SJ-LIGBT器件

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本发明涉及一种集成自偏置pMOS低关断损耗的SJ‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。本发明：(1)自偏置pMOS包含P+漏极﹑N型区﹑P+源极﹑金属栅极与槽栅短接，无需额外栅信号控制。pMOS源极与LIGBT漂移区短接。(3)正向导通时，pMOS的栅源电压VGS,P随集电极电压变化，当VGS,P>VTH,自偏置pMOS自动关断，当VGS,P

著录项

公开/公告号CN114464615A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-10

原文格式PDF
申请/专利权人重庆邮电大学;
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申请/专利号CN202210032624.6
发明设计人陈伟中;林徐葳;秦海峰;魏子凯;张红升;
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申请日2022-01-12
分类号H01L27/06;H01L29/06;
代理机构
代理人
地址 400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号
入库时间 2023-06-19 15:13:29

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法律状态
2022-05-10

公开

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