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功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法

摘要

一种用于制造功率半导体封装体的方法包括:提供包括裸片焊盘和框架的引线框架,其中,裸片焊盘通过至少一个系杆连接到框架;将半导体裸片附接到裸片焊盘;通过激光切割而切穿至少一个系杆,从而形成切割表面;以及在激光切割之后,在裸片焊盘和半导体裸片之上模制,其中,切割表面被模制化合物完全覆盖。

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法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-08-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/60 专利申请号:2021111916647 申请日:20211013

    实质审查的生效

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