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基于ANSYS Workbench半导体激光器封装热特性分析

机译:基于ANSYS Workbench半导体激光器封装热特性分析

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摘要

通过对半导体激光器热特性的理论分析,使用ANSYS Workbench软件,模拟分析单管半导体激光器芯片温度和热流分布,输出功率为10 W时,传统c-mount封装芯片温度为66.393℃,热阻为4.6 K/W。通过在热沉与激光器芯片间添加一层高热导率的石墨烯,增加热流扩散面积,使芯片温度下降到55.587℃,热阻3.5 K/W,散热效果明显,计算得到最大输出功率从15.4 W提升到18.5 W,通过计算得知,其输出功率提升了20%。
机译:通过对半导体激光器热特性的理论分析,使用ANSYS Workbench软件,模拟分析单管半导体激光器芯片温度和热流分布,输出功率为10 W时,传统c-mount封装芯片温度为66.393℃,热阻为4.6 K/W。通过在热沉与激光器芯片间添加一层高热导率的石墨烯,增加热流扩散面积,使芯片温度下降到55.587℃,热阻3.5 K/W,散热效果明显,计算得到最大输出功率从15.4 W提升到18.5 W,通过计算得知,其输出功率提升了20%。

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    《Modern Physics》 |2018年第4期|共7页
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  • 中图分类 物理学;
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