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量子阱场效应晶体管及其制造方法

摘要

量子阱场效应晶体管(QWFET)包括阻挡层、量子阱层和间隔层。量子阱层在阻挡层上。阻挡层和间隔层包括未掺杂的锑化铝铟。量子阱层包括锑化铟。间隔层在量子阱层上。量子阱层和间隔层在源极触点与漏极触点之间。栅极触点在介电层上,介电层在间隔层上。通过将阻挡层和间隔层设置为未掺杂的层,可以改善QWFET的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN114402439A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 微软技术许可有限责任公司;

    申请/专利号CN202080064602.7

  • 发明设计人 M·J·曼弗拉;C·F·托马斯;

    申请日2020-06-26

  • 分类号H01L29/12;H01L29/205;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/778;H01L21/335;

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人董莘

  • 地址 美国华盛顿州

  • 入库时间 2023-06-19 15:03:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-26

    公开

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