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公开/公告号CN114317199A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-12
原文格式PDF
申请/专利权人 杨崇勇;
申请/专利号CN202111516552.4
发明设计人 杨崇勇;
申请日2021-12-13
分类号C12M1/00(20060101);C12M1/36(20060101);A01H4/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 518024 广东省深圳市罗湖区清水河街道清水河一路博隆大厦A单元209室
入库时间 2023-06-19 14:54:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-12
公开
发明专利申请公布
机译: 半导体装置,电源装置,放大器及半导体装置的制造方法
机译: 半导体装置检查方法,半导体装置制造方法以及检查装置
机译:Nisshin Ion Equipment Semiconducth Manufactrice Divichse Diverse Grand Prix电源半导体生产高温离子流入装置“impheat-II”加工时间常规相比3次
机译:半导体制造设备/材料市场详细信息:离子注入设备
机译:半导体制造设备,每个理论的材料市场:离子植入装置
机译:网状旋转盘是日本专利技术,在低CN比和低水温下要获得高脱氮性能需要理论支持,因此,在群马技术学院化粪池上安装了旋转盘测试仪。由于工厂正在进行脱氮性能测试,因此,实验结果报告如下:间歇性催化氧化处理污水中微生物载体的供氧途径研究
机译:注入型半导体激光器的高速直接调制研究
机译:一种3D打印定深孔导板引导的精准牙体预备技术
机译:通过光声光谱学研究半导体缺陷状态和缺陷产生以及通过电流注入声学方法研究半导体激光器的非发射过程。(VI。半导体的晶格弛豫,强耦合电子-晶格系统的动力学性质,科研补助金。 (会议报告)