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通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法

摘要

本发明公开了通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法,包括箱体,所述箱体的底部固定连接有底座,所述箱体的顶部固定连接有退火箱,所述退火箱的一侧固定连接有支架板,且支架板固定安装在箱体的顶部,本发明涉及硅片加工技术领域。该通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法,通过设置有退火旋转机构,利用吸力盘和挤压弹簧的弹性对硅片进行固定,并利用驱动电机带动驱动转轴的转动,驱动转轴配合上驱动齿轮和传动齿轮的啮合使得支撑转轴转动,即可实现对硅片进行转动退火,不仅可以实现退火时的均匀,而且避免了产品的堆叠造成不必要的影响,以便于提高硅片的加工后的质量。

著录项

  • 公开/公告号CN114334717A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN202111376168.9

  • 发明设计人 叶绍凤;

    申请日2021-11-19

  • 分类号H01L21/67(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/687(20060101);

  • 代理机构33266 杭州融方专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人沈相权

  • 地址 311201 浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号

  • 入库时间 2023-06-19 14:51:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-12

    公开

    发明专利申请公布

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