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深度兼图像传感器器件及制作方法、深度兼图像传感器芯片

摘要

本发明提供一种深度兼图像传感器器件及制作方法、深度兼图像传感器芯片。深度兼图像传感器器件包括:第一晶圆,其用于平面成像;第二晶圆,其用于深度成像;逻辑晶圆;所述第一晶圆获得的所述平面成像的信息和所述第二晶圆获得的所述深度成像的信息均由所述逻辑晶圆运算处理;所述第一晶圆与所述第二晶圆键合,且所述第二晶圆与所述逻辑晶圆键合。本发明将检测平面图像信息的第一芯片和检测深度信息的第二芯片集成在一个单颗器件中(形成一体式结构),提高了集成度,能够通过单颗器件同时探测图像信息和深度信息,降低器件面积和用该器件制成的摄像头模组的体积。

著录项

  • 公开/公告号CN114284306A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉新芯集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN202111539755.5

  • 发明设计人 郭晓超;

    申请日2021-12-15

  • 分类号H01L27/146(20060101);H04N5/369(20110101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人田婷

  • 地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

  • 入库时间 2023-06-19 14:45:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-05

    公开

    发明专利申请公布

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