石墨烯晶体管和制造石墨烯晶体管的方法

摘要

本发明提供了制造石墨烯晶体管101的方法，所述方法包括：(a)提供具有基本平坦的表面的基底，其中所述表面包括绝缘区域110和相邻半导体区域105；(b)在所述表面上形成石墨烯层结构115，其中石墨烯层结构设置在绝缘区域和相邻半导体区域二者的一部分上并且横跨二者；(c)在石墨烯层结构的自身设置在半导体区域105上的部分上形成介电材料层120；以及(d)提供：在石墨烯层结构的自身设置在绝缘区域110上的部分上的源极接触件125；在介电材料层120上并且在石墨烯层结构的自身设置在半导体区域105上的部分上方的栅极接触件130；以及在基底表面的半导体区域105上的漏极接触件135。